半导体晶圆及测试方法

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申请号
CN202110815109.0
申请日
2021-07-19
公开(公告)号
CN115642147A
公开(公告)日
2023-01-24
发明(设计)人
章中杰
申请人
申请人地址
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号
H01L23544
IPC分类号
H01L2166
代理机构
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260
代理人
成丽杰
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体晶圆的清洗方法、半导体晶圆的制造方法及半导体晶圆 [P]. 
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[2]
半导体晶圆的制造方法及半导体晶圆 [P]. 
铃木温 .
日本专利 :CN119278499A ,2025-01-07
[3]
半导体晶圆及半导体晶圆的研磨方法 [P]. 
吉田拓 ;
栗田英树 .
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[4]
半导体晶圆及测量半导体晶圆的方法 [P]. 
陈慕辰 .
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[5]
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任永硕 ;
王荣华 ;
高珺 ;
梁辉南 .
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[6]
半导体芯片、半导体晶圆及半导体晶圆的制造方法 [P]. 
张乃千 ;
潘盼 .
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[7]
半导体芯片、半导体晶圆及半导体晶圆的制造方法 [P]. 
张乃千 ;
潘盼 .
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[8]
半导体晶圆输送方法及半导体晶圆输送装置 [P]. 
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长谷幸敏 .
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[9]
半导体晶圆处理装置及半导体晶圆处理方法 [P]. 
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[10]
半导体晶圆及半导体芯片 [P]. 
藤井美香 .
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