具有边缘遮蔽和气体清除的静电卡盘晶片端口和顶板

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200380101885.4

申请日：

2003-10-22

公开(公告)号：

CN1706026A

公开(公告)日：

2005-12-07

发明(设计)人：

P·L·凯勒曼 K·T·赖安 R·J·米切尔

申请人：

申请人地址：

美国马萨诸塞州

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

王岳;刘杰

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-04-02	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2005-12-07	公开	公开
2006-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效

共 21 条

[1]

静电卡盘和具有用于冷却晶片的冷却路径的卡盘座 [P].

朴熙龙 ;

金珍泰 ;

李圭夏 ;

朴宽泰 ;

吴尚瑛 ;

张辉坤 .

中国专利 :CN1898782A ,2007-01-17

[2]

具有用于排放晶片边缘气体的流动路径的排除环 [P].

维纳亚卡拉迪·古拉巴尔 ;

埃里克·H·伦茨 ;

拉维·韦兰基 .

中国专利 :CN114945707A ,2022-08-26

[3]

具有灵活的晶片温度控制的静电卡盘 [P].

亚历山大·马丘什金 ;

约翰·P·霍兰德 ;

马克·H·威尔科克森 ;

基思·科门丹特 ;

塔内尔·奥泽尔 ;

郝芳莉 .

中国专利 :CN110462812A ,2019-11-15

[4]

快速热退火具有边缘的多层晶片的方法 [P].

E·内雷 ;

C·马勒维尔 .

中国专利 :CN1711629A ,2005-12-21

[5]

具有对于晶片的空间性可调谐RF耦合的静电卡盘 [P].

约翰·德鲁厄里 .

中国专利 :CN113728424A ,2021-11-30

[6]

具有边缘保护的晶片级芯片尺寸封装体(WLCSP) [P].

Y·马 ;

K-Y·吴 ;

张学仁 .

中国专利 :CN106847788B ,2017-06-13

[7]

具有气体浓度衰减器的晶片入口端口 [P].

杰弗里·艾伦·霍金斯 .

中国专利 :CN104600001A ,2015-05-06

[8]

用于容纳背侧气体的具有静电流体密封的静电卡盘 [P].

王作乾 ;

J·M·怀特 .

中国专利 :CN106449502A ,2017-02-22

[9]

在晶片外周附近具有凹入区域以减轻边缘/中心不均匀性的半导体处理卡盘 [P].

拉维·韦兰基 ;

埃里克·H·伦茨 ;

潘宇 .

中国专利 :CN114846596A ,2022-08-02

[10]

静电卡盘组件和具有它的等离子装置 [P].

彭宇霖 .

中国专利 :CN103545237B ,2014-01-29