快速热退火具有边缘的多层晶片的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200380102763.7

申请日：

2003-11-03

公开(公告)号：

CN1711629A

公开(公告)日：

2005-12-21

发明(设计)人：

E·内雷 C·马勒维尔

申请人：

申请人地址：

法国贝尔尼

IPC主分类号：

H01L21324

IPC分类号：

H01L2100 H01L21762

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

程伟;王锦阳

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-12-21	公开	公开
2014-10-15	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101705977128 IPC(主分类):H01L 21/324 专利号:ZL2003801027637 变更事项:专利权人变更前:S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司变更后:苏泰克公司变更事项:地址变更前:法国贝尔尼变更后:法国贝尔尼
2006-02-15	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-09-16	授权	授权

共 50 条

[1]

快速热退火的方法 [P].

张耀元 ;

周世良 ;

李若玺 ;

林宗德 ;

曾国佑 ;

练文政 .

中国专利 :CN1548591A ,2004-11-24

[2]

对构图的晶片背面进行快速热退火处理的方法 [P].

沃尔夫冈·阿德霍尔德 ;

森德·拉马默蒂 ;

阿伦·亨特 .

中国专利 :CN1922457A ,2007-02-28

[3]

快速热退火以及由其制造的硅晶片 [P].

朴在勤 .

中国专利 :CN1254855C ,2003-01-29

[4]

快速热退火以及由其制造的硅晶片 [P].

朴在勤 .

中国专利 :CN1796621A ,2006-07-05

[5]

半导体装置的快速热退火方法 [P].

居建华 ;

宁先捷 .

中国专利 :CN102024699A ,2011-04-20

[6]

具有边缘终止结构的半导体器件 [P].

G.施密特 ;

E.法尔克 .

中国专利 :CN111834444A ,2020-10-27

[7]

具有边缘终止结构的半导体器件 [P].

G.施密特 ;

E.法尔克 .

德国专利 :CN111834444B ,2024-10-18

[8]

具有边缘保护的晶片级芯片尺寸封装体(WLCSP) [P].

Y·马 ;

K-Y·吴 ;

张学仁 .

中国专利 :CN106847788B ,2017-06-13

[9]

使用热退火设备进行快速热退火工艺的方法 [P].

肖东辉 .

中国专利 :CN106548961B ,2017-03-29

[10]

快速热退火方法 [P].

苏小鹏 ;

谭秀文 .

中国专利 :CN103390553B ,2013-11-13

← 1 2 3 4 5 →