衬底部分上的复合原子层沉积ALD涂层及在衬底部分上形成经图案化ALD涂层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811031909.8

申请日：

2016-02-13

公开(公告)号：

CN109023303A

公开(公告)日：

2018-12-18

发明(设计)人：

B·C·亨德里克斯 D·W·彼得斯李卫民 C·瓦尔德弗里德 R·A·库克 N·困达林奕宽

申请人：

申请人地址：

美国马萨诸塞州

IPC主分类号：

C23C1644

IPC分类号：

C23C16455

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

顾晨昕

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-18	公开	公开
2019-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/44 申请日:20160213

共 31 条

[1]

衬底部分上的复合原子层沉积ALD涂层及在衬底部分上形成经图案化ALD涂层的方法 [P].

B·C·亨德里克斯 ;

D·W·彼得斯 ;

李卫民 ;

C·瓦尔德弗里德 ;

R·A·库克 ;

N·困达 ;

林奕宽 .

中国专利 :CN111519166A ,2020-08-11

[2]

在图案化衬底上形成钌金属层的方法 [P].

松田司 .

中国专利 :CN101142670A ,2008-03-12

[3]

原子层沉积方法及用于在衬底上沉积层的相关方法 [P].

J·L·温克勒 .

:CN120830091A ,2025-10-24

[4]

用于在衬底上形成图案的方法 [P].

K·A·帕特尔 ;

I·拉赫马特 ;

Y·汤姆查克 ;

D·D·罗斯特 .

:CN119739006A ,2025-04-01

[5]

使用原子层沉积(ALD)法在基底上形成含钛层的方法 [P].

S·伽蒂诺 ;

C·迪萨拉 ;

C·拉绍 ;

N·布拉斯科 ;

A·潘沙尔 ;

Z·王 ;

J-M·吉拉尔 ;

A·曹纳 .

中国专利 :CN101959897A ,2011-01-26

[6]

用于在衬底上沉积具有较高介电常数的涂层的方法 [P].

J·常 ;

Y·－S·林 ;

A·凯普滕 ;

M·森德勒 ;

S·莱维 ;

R·布洛姆 .

中国专利 :CN1498285A ,2004-05-19

[7]

在衬底上形成含金属层的气相沉积方法 [P].

巴斯卡尔·斯里尼瓦桑 ;

约翰·斯迈思 .

中国专利 :CN101595244B ,2009-12-02

[8]

用于在原子层沉积(ALD)衬底处理室中调整膜性质的基座 [P].

阿德里安·拉沃伊 ;

迈克尔·菲利普·罗伯茨 ;

克洛伊·巴尔达赛罗尼 ;

理查德·菲利普斯 ;

拉梅什·钱德拉塞卡拉 .

中国专利 :CN113423866A ,2021-09-21

[9]

用于在衬底上涂敷涂层的方法和设备 [P].

罗斯塔·佩尔松 ;

埃里克·格林克斯 ;

简·杰多普特 .

中国专利 :CN101277769A ,2008-10-01

[10]

用于在衬底上形成掺杂高k层的方法 [P].

R·A·约翰 ;

汤福 ;

E·J·希罗 .

:CN121240467A ,2025-12-30

← 1 2 3 4 →