LED外延结构及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910423309.4
申请日
2019-05-21
公开(公告)号
CN110137319A
公开(公告)日
2019-08-16
发明(设计)人
冷鑫钰 曾颀尧 汪琼 纪秉夆 邢琨 陈柏松
申请人
申请人地址
241000 安徽省芜湖市经济技术开发区纬二次路11号
IPC主分类号
H01L3300
IPC分类号
H01L3314
代理机构
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
熊文杰;李双皓
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[41]
一种底层带有凹纳米图形的LED外延结构及其制作方法 [P]. 
霍丽艳 ;
滕龙 ;
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[42]
显示面板及其制作方法 [P]. 
蒲洋 ;
袁海江 .
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[43]
GaN基LED外延片及其生长工艺、LED [P]. 
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[44]
一种红光LED外延结构及制作方法 [P]. 
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韩效亚 ;
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[45]
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程龙 ;
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曾家明 ;
刘春杨 ;
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[46]
红外LED外延结构及其制造方法 [P]. 
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[47]
紫外LED外延结构及其制备方法 [P]. 
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[48]
红外LED外延结构及其制造方法 [P]. 
王亚宏 ;
李森林 ;
廖寅生 ;
薛龙 ;
赖玉财 ;
谢岚驰 .
中国专利 :CN115498080A ,2022-12-20
[49]
LED外延结构及其制备方法、LED芯片及其制备方法 [P]. 
薛龙 ;
李森林 ;
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[50]
表面粗化的LED外延片及其制备方法、LED [P]. 
周志兵 ;
张星星 ;
林潇雄 ;
胡加辉 ;
金从龙 .
中国专利 :CN115621375A ,2023-01-17