降低半导体衬底晶片表面颗粒的清洗方法

被引：0

申请号：

CN202210224877.3

申请日：

2022-03-09

公开(公告)号：

CN114613697A

公开(公告)日：

2022-06-10

发明(设计)人：

王世锋杨超张建平王泽华

申请人：

申请人地址：

266300 山东省青岛市胶州九龙街道办事处站前大道与204国道交界处北500米路西

IPC主分类号：

H01L2167

IPC分类号：

B08B312 B08B308 F26B2100

代理机构：

天津盈佳知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12224

代理人：

安娜

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/67 申请日:20220309
2022-06-10	公开	公开

共 50 条

[1]

降低半导体衬底晶片表面颗粒的清洗方法 [P].

王世锋 ;

杨超 ;

张建平 ;

王泽华 .

中国专利 :CN114613697B ,2024-11-29

[2]

磷化铟晶片清洗方法及半导体晶片清洗装置 [P].

王金灵 ;

周铁军 ;

田玉莲 ;

毕宏岩 .

中国专利 :CN117380617A ,2024-01-12

[3]

半导体晶片的清洗方法 [P].

陈中泰 .

中国专利 :CN1338771A ,2002-03-06

[4]

半导体晶片的清洗方法 [P].

陈中泰 .

中国专利 :CN1198323C ,2003-01-29

[5]

降低半导体晶片表面电弧缺陷的方法 [P].

陈亚威 .

中国专利 :CN103578918B ,2014-02-12

[6]

半导体晶片的清洗方法 [P].

金志民 .

中国专利 :CN108511316A ,2018-09-07

[7]

半导体晶片的清洗方法与系统 [P].

卡特林纳·A·米可哈林奇 ;

麦克·拉夫金 ;

唐·E·安德森 .

中国专利 :CN1355929A ,2002-06-26

[8]

清洗半导体晶片的方法和装置 [P].

M·G·维林 ;

L·张 .

中国专利 :CN1341276A ,2002-03-20

[9]

半导体晶片的脱胶方法 [P].

马岳 .

中国专利 :CN109979799A ,2019-07-05

[10]

半导体晶片的清洗液及清洗方法 [P].

汪钉崇 ;

洪明杰 .

中国专利 :CN1242039C ,2005-04-06

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