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用于原子层沉积装置的双层门体组件
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201821622977.7
申请日
:
2018-09-30
公开(公告)号
:
CN208883987U
公开(公告)日
:
2019-05-21
发明(设计)人
:
李丙科
陈庆敏
申请人
:
申请人地址
:
214000 江苏省无锡市新吴区鸿山街道锡协路208-10号
IPC主分类号
:
C23C16455
IPC分类号
:
代理机构
:
无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260
代理人
:
王闯;葛莉华
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-05-21
授权
授权
共 50 条
[1]
原子层沉积装置
[P].
李丙科
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李丙科
;
陈庆敏
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陈庆敏
.
中国专利
:CN209128536U
,2019-07-19
[2]
原子层沉积装置
[P].
李丙科
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李丙科
;
陈庆敏
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陈庆敏
.
中国专利
:CN109023306A
,2018-12-18
[3]
原子层沉积装置
[P].
张洪国
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机构:
江苏鹏举半导体设备技术有限公司
江苏鹏举半导体设备技术有限公司
张洪国
;
唐继远
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机构:
江苏鹏举半导体设备技术有限公司
江苏鹏举半导体设备技术有限公司
唐继远
;
汤晨宇
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机构:
江苏鹏举半导体设备技术有限公司
江苏鹏举半导体设备技术有限公司
汤晨宇
;
徐冉
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机构:
江苏鹏举半导体设备技术有限公司
江苏鹏举半导体设备技术有限公司
徐冉
;
夏益伟
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机构:
江苏鹏举半导体设备技术有限公司
江苏鹏举半导体设备技术有限公司
夏益伟
;
周同亮
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机构:
江苏鹏举半导体设备技术有限公司
江苏鹏举半导体设备技术有限公司
周同亮
.
中国专利
:CN220503191U
,2024-02-20
[4]
用于原子层沉积工艺的进气装置及原子层沉积装置
[P].
魏景峰
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魏景峰
;
荣延栋
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荣延栋
;
傅新宇
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傅新宇
.
中国专利
:CN209292476U
,2019-08-23
[5]
原子层沉积装置及原子层沉积系统
[P].
曹生贤
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曹生贤
.
中国专利
:CN106030848B
,2016-10-12
[6]
用于原子层沉积的装置
[P].
P·索伊尼宁
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P·索伊尼宁
;
M·索德兰德
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M·索德兰德
;
P·蒂莫宁
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P·蒂莫宁
.
中国专利
:CN108495950A
,2018-09-04
[7]
原子层沉积装置
[P].
李哲峰
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李哲峰
;
张光海
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张光海
.
中国专利
:CN212335292U
,2021-01-12
[8]
原子层沉积装置
[P].
杨士逸
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机构:
奥恒科技股份有限公司
奥恒科技股份有限公司
杨士逸
.
中国专利
:CN221398037U
,2024-07-23
[9]
原子层沉积装置
[P].
吉田武史
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吉田武史
;
石塚勇史
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石塚勇史
.
中国专利
:CN203159709U
,2013-08-28
[10]
原子层沉积装置
[P].
夏洋
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0
夏洋
.
中国专利
:CN208649461U
,2019-03-26
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