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原子层沉积装置

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201811162434.6
申请日：
2018-09-30
公开(公告)号：
CN109023306A
公开(公告)日：
2018-12-18
发明(设计)人：
李丙科 陈庆敏
申请人：
申请人地址：
214000 江苏省无锡市新吴区鸿山街道锡协路208-10号
IPC主分类号：
C23C16455
IPC分类号：
C23C1644
代理机构：
无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260
代理人：
王闯;葛莉华
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2018-12-18 公开 公开
2019-01-11 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/455 申请日:20180930
共 50 条
[1]
原子层沉积装置 [P]. 
李丙科 ;
陈庆敏 .
中国专利 :CN209128536U ,2019-07-19
[2]
原子层沉积装置及原子层沉积系统 [P]. 
曹生贤 .
中国专利 :CN106030848B ,2016-10-12
[3]
一种原子层沉积装置 [P]. 
李丙科 .
中国专利 :CN109695026A ,2019-04-30
[4]
一种原子层沉积装置 [P]. 
李丙科 .
中国专利 :CN210163520U ,2020-03-20
[5]
原子层沉积装置 [P]. 
张洪国 ;
唐继远 ;
汤晨宇 ;
徐冉 ;
夏益伟 ;
周同亮 .
中国专利 :CN220503191U ,2024-02-20
[6]
用于原子层沉积装置的双层门体组件 [P]. 
李丙科 ;
陈庆敏 .
中国专利 :CN208883987U ,2019-05-21
[7]
原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
刘良文 ;
闫晓晖 ;
拉海忠 .
中国专利 :CN119800330A ,2025-04-11
[8]
原子层沉积方法及原子层沉积装置 [P]. 
叶长福 ;
魏鼎 ;
吕佐文 .
中国专利 :CN117265508B ,2025-09-26
[9]
原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
李名言 ;
吴孝哲 ;
蔡文立 .
中国专利 :CN101333648A ,2008-12-31
[10]
原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
郭世根 ;
项金娟 ;
刘青 .
中国专利 :CN114351116B ,2024-12-31
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