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一种原子层沉积装置
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201811637385.7
申请日
:
2018-12-29
公开(公告)号
:
CN109695026A
公开(公告)日
:
2019-04-30
发明(设计)人
:
李丙科
申请人
:
申请人地址
:
214000 江苏省无锡市新吴区鸿山街道锡协路208-10号
IPC主分类号
:
C23C1640
IPC分类号
:
C23C16455
C23C16458
H01L3118
代理机构
:
北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411
代理人
:
黄冠华
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-04-30
公开
公开
2019-05-28
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/40 申请日:20181229
共 50 条
[1]
一种原子层沉积装置
[P].
李丙科
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李丙科
.
中国专利
:CN210163520U
,2020-03-20
[2]
原子层沉积装置
[P].
李丙科
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李丙科
;
陈庆敏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈庆敏
.
中国专利
:CN209128536U
,2019-07-19
[3]
原子层沉积装置
[P].
李丙科
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李丙科
;
陈庆敏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈庆敏
.
中国专利
:CN109023306A
,2018-12-18
[4]
一种原子层沉积装置
[P].
张亦哲
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
张亦哲
;
明帅强
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
明帅强
;
李明
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
李明
;
王浙加
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
王浙加
;
戴昕童
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
戴昕童
;
李国庆
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
李国庆
;
闻梦瑶
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
闻梦瑶
;
车睿远
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
车睿远
.
中国专利
:CN222139260U
,2024-12-10
[5]
一种原子层沉积装置及原子层沉积方法
[P].
徐志斌
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
徐志斌
;
马骏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
马骏
;
祝晓钊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
祝晓钊
;
冯敏强
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
冯敏强
;
廖良生
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
廖良生
.
中国专利
:CN112176321A
,2021-01-05
[6]
一种原子层沉积装置及原子层沉积方法
[P].
徐志斌
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
江苏集萃有机光电技术研究所有限公司
江苏集萃有机光电技术研究所有限公司
徐志斌
;
马骏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
江苏集萃有机光电技术研究所有限公司
江苏集萃有机光电技术研究所有限公司
马骏
;
祝晓钊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
江苏集萃有机光电技术研究所有限公司
江苏集萃有机光电技术研究所有限公司
祝晓钊
;
冯敏强
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
江苏集萃有机光电技术研究所有限公司
江苏集萃有机光电技术研究所有限公司
冯敏强
;
廖良生
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
江苏集萃有机光电技术研究所有限公司
江苏集萃有机光电技术研究所有限公司
廖良生
.
中国专利
:CN112176321B
,2025-01-14
[7]
一种原子层沉积装置及原子层沉积设备
[P].
李哲峰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李哲峰
;
乌磊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
乌磊
.
中国专利
:CN212335291U
,2021-01-12
[8]
原子层沉积装置及原子层沉积方法
[P].
刘良文
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
刘良文
;
闫晓晖
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
闫晓晖
;
拉海忠
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
拉海忠
.
中国专利
:CN119800330A
,2025-04-11
[9]
原子层沉积方法及原子层沉积装置
[P].
叶长福
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
福建省晋华集成电路有限公司
福建省晋华集成电路有限公司
叶长福
;
魏鼎
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
福建省晋华集成电路有限公司
福建省晋华集成电路有限公司
魏鼎
;
吕佐文
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
福建省晋华集成电路有限公司
福建省晋华集成电路有限公司
吕佐文
.
中国专利
:CN117265508B
,2025-09-26
[10]
原子层沉积装置及原子层沉积方法
[P].
李名言
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李名言
;
吴孝哲
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吴孝哲
;
蔡文立
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
蔡文立
.
中国专利
:CN101333648A
,2008-12-31
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