一种原子层沉积装置

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专利类型
发明
申请号
CN201811637385.7
申请日
2018-12-29
公开(公告)号
CN109695026A
公开(公告)日
2019-04-30
发明(设计)人
李丙科
申请人
申请人地址
214000 江苏省无锡市新吴区鸿山街道锡协路208-10号
IPC主分类号
C23C1640
IPC分类号
C23C16455 C23C16458 H01L3118
代理机构
北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411
代理人
黄冠华
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种原子层沉积装置 [P]. 
李丙科 .
中国专利 :CN210163520U ,2020-03-20
[2]
原子层沉积装置 [P]. 
李丙科 ;
陈庆敏 .
中国专利 :CN209128536U ,2019-07-19
[3]
原子层沉积装置 [P]. 
李丙科 ;
陈庆敏 .
中国专利 :CN109023306A ,2018-12-18
[4]
一种原子层沉积装置 [P]. 
张亦哲 ;
明帅强 ;
李明 ;
王浙加 ;
戴昕童 ;
李国庆 ;
闻梦瑶 ;
车睿远 .
中国专利 :CN222139260U ,2024-12-10
[5]
一种原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
徐志斌 ;
马骏 ;
祝晓钊 ;
冯敏强 ;
廖良生 .
中国专利 :CN112176321A ,2021-01-05
[6]
一种原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
徐志斌 ;
马骏 ;
祝晓钊 ;
冯敏强 ;
廖良生 .
中国专利 :CN112176321B ,2025-01-14
[7]
一种原子层沉积装置及原子层沉积设备 [P]. 
李哲峰 ;
乌磊 .
中国专利 :CN212335291U ,2021-01-12
[8]
原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
刘良文 ;
闫晓晖 ;
拉海忠 .
中国专利 :CN119800330A ,2025-04-11
[9]
原子层沉积方法及原子层沉积装置 [P]. 
叶长福 ;
魏鼎 ;
吕佐文 .
中国专利 :CN117265508B ,2025-09-26
[10]
原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
李名言 ;
吴孝哲 ;
蔡文立 .
中国专利 :CN101333648A ,2008-12-31