一种原子层沉积装置

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN202323364732.2
申请日
2023-12-11
公开(公告)号
CN222139260U
公开(公告)日
2024-12-10
发明(设计)人
张亦哲 明帅强 李明 王浙加 戴昕童 李国庆 闻梦瑶 车睿远
申请人
嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
申请人地址
314001 浙江省嘉兴市南湖区凌公塘路3339号(嘉兴科技城)
IPC主分类号
C23C16/455
IPC分类号
C23C16/52 C23C16/44
代理机构
北京众达德权知识产权代理有限公司 11570
代理人
马攀
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种原子层沉积装置 [P]. 
李丙科 .
中国专利 :CN109695026A ,2019-04-30
[2]
原子层沉积装置 [P]. 
李丙科 ;
陈庆敏 .
中国专利 :CN209128536U ,2019-07-19
[3]
一种原子层沉积装置 [P]. 
李丙科 .
中国专利 :CN210163520U ,2020-03-20
[4]
原子层沉积装置 [P]. 
张海飞 ;
张洪国 ;
焦恒刚 .
中国专利 :CN113373430A ,2021-09-10
[5]
一种原子层沉积装置 [P]. 
王树林 ;
李鹏飞 ;
仇大为 ;
童亚龙 .
中国专利 :CN223674736U ,2025-12-16
[6]
原子层沉积装置 [P]. 
李丙科 ;
陈庆敏 .
中国专利 :CN109023306A ,2018-12-18
[7]
一种原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
徐志斌 ;
马骏 ;
祝晓钊 ;
冯敏强 ;
廖良生 .
中国专利 :CN112176321A ,2021-01-05
[8]
一种原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
徐志斌 ;
马骏 ;
祝晓钊 ;
冯敏强 ;
廖良生 .
中国专利 :CN112176321B ,2025-01-14
[9]
一种原子层沉积装置及原子层沉积设备 [P]. 
李哲峰 ;
乌磊 .
中国专利 :CN212335291U ,2021-01-12
[10]
原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
刘良文 ;
闫晓晖 ;
拉海忠 .
中国专利 :CN119800330A ,2025-04-11