原子层沉积装置

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201821614962.6
申请日
2018-09-30
公开(公告)号
CN209128536U
公开(公告)日
2019-07-19
发明(设计)人
李丙科 陈庆敏
申请人
申请人地址
214000 江苏省无锡市新吴区鸿山街道锡协路208-10号
IPC主分类号
C23C16455
IPC分类号
C23C1644
代理机构
无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260
代理人
王闯;葛莉华
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
原子层沉积装置 [P]. 
李丙科 ;
陈庆敏 .
中国专利 :CN109023306A ,2018-12-18
[2]
原子层沉积装置及原子层沉积系统 [P]. 
曹生贤 .
中国专利 :CN106030848B ,2016-10-12
[3]
一种原子层沉积装置 [P]. 
李丙科 .
中国专利 :CN109695026A ,2019-04-30
[4]
一种原子层沉积装置 [P]. 
李丙科 .
中国专利 :CN210163520U ,2020-03-20
[5]
原子层沉积装置 [P]. 
张洪国 ;
唐继远 ;
汤晨宇 ;
徐冉 ;
夏益伟 ;
周同亮 .
中国专利 :CN220503191U ,2024-02-20
[6]
用于原子层沉积装置的双层门体组件 [P]. 
李丙科 ;
陈庆敏 .
中国专利 :CN208883987U ,2019-05-21
[7]
原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
刘良文 ;
闫晓晖 ;
拉海忠 .
中国专利 :CN119800330A ,2025-04-11
[8]
原子层沉积方法及原子层沉积装置 [P]. 
叶长福 ;
魏鼎 ;
吕佐文 .
中国专利 :CN117265508B ,2025-09-26
[9]
原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
李名言 ;
吴孝哲 ;
蔡文立 .
中国专利 :CN101333648A ,2008-12-31
[10]
原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
郭世根 ;
项金娟 ;
刘青 .
中国专利 :CN114351116B ,2024-12-31