一种采用预处理籽晶生长碳化硅晶体的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110216502.8

申请日：

2021-02-26

公开(公告)号：

CN113005519B

公开(公告)日：

2021-06-22

发明(设计)人：

不公告发明人

申请人：

申请人地址：

150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区哈西大街与学府四道街交汇处第40栋-1-2层12号

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2300

代理机构：

哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209

代理人：

陈润明

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-22	公开	公开
2021-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20210226
2022-07-01	授权	授权

共 50 条

[1]

一种碳化硅籽晶的处理方法和碳化硅晶体的生长方法 [P].

李佳君 ;

王蓉 ;

皮孝东 ;

高万冬 ;

沈典宇 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN115595663A ,2023-01-13

[2]

一种碳化硅晶体生长用的碳化硅籽晶 [P].

陶莹 ;

邓树军 ;

高宇 ;

段聪 ;

赵梅玉 .

中国专利 :CN203065637U ,2013-07-17

[3]

一种使用预处理粉料制备碳化硅晶体的生长方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN113026105B ,2021-06-25

[4]

碳化硅籽晶、碳化硅籽晶组件及其制备方法和制备碳化硅晶体的方法 [P].

蔡凯 ;

郭少聪 ;

王军 ;

周维 .

中国专利 :CN113897684A ,2022-01-07

[5]

籽晶处理方法及碳化硅晶体的生长方法 [P].

张永伟 ;

袁振洲 ;

刘欣宇 .

中国专利 :CN116837456B ,2024-02-23

[6]

籽晶处理方法及碳化硅晶体生长方法 [P].

李龙远 .

中国专利 :CN108018605A ,2018-05-11

[7]

一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶处理方法 [P].

刘春俊 ;

王波 ;

赵宁 .

中国专利 :CN105463575B ,2016-04-06

[8]

提高碳化硅晶体生长质量的籽晶处理方法以及用于碳化硅晶体生长的方法 [P].

娄艳芳 ;

彭同华 ;

赵宁 ;

刘春俊 ;

王波 ;

陈小龙 .

中国专利 :CN105780107A ,2016-07-20

[9]

碳化硅复合籽晶及其制备方法、碳化硅晶体 [P].

周国清 .

中国专利 :CN120401008A ,2025-08-01

[10]

碳化硅复合籽晶及其制备方法、碳化硅晶体 [P].

周国清 .

中国专利 :CN120401009A ,2025-08-01

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