一种使用预处理粉料制备碳化硅晶体的生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110216497.0

申请日：

2021-02-26

公开(公告)号：

CN113026105B

公开(公告)日：

2021-06-25

发明(设计)人：

不公告发明人

申请人：

申请人地址：

150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区哈西大街与学府四道街交汇处第40栋-1-2层12号

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2300 C30B2812

代理机构：

哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209

代理人：

李晓敏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-05	授权	授权
2021-06-25	公开	公开
2021-07-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20210226

共 50 条

[1]

一种采用预处理籽晶生长碳化硅晶体的方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN113005519B ,2021-06-22

[2]

含氮的碳化硅粉料的制备方法及碳化硅晶体的生长方法 [P].

焦芳 ;

张磊 ;

吴周礼 ;

刘广政 ;

杨牧龙 .

中国专利 :CN118083983A ,2024-05-28

[3]

制备碳化硅晶体的生长装置及碳化硅晶体的生长方法 [P].

许成凯 ;

陈俊宏 .

中国专利 :CN115537925A ,2022-12-30

[4]

碳化硅晶体的生长方法 [P].

狄聚青 ;

刘运连 ;

薛帅 .

中国专利 :CN113774488A ,2021-12-10

[5]

碳化硅晶体的生长方法 [P].

李远田 ;

吴建 .

中国专利 :CN118727132A ,2024-10-01

[6]

碳化硅晶体生长方法、装置及碳化硅晶体 [P].

侯磊 .

中国专利 :CN120401012A ,2025-08-01

[7]

碳化硅晶体生长方法、装置及碳化硅晶体 [P].

侯磊 .

中国专利 :CN120465104A ,2025-08-12

[8]

碳化硅晶体的生长方法 [P].

林钦山 .

中国专利 :CN117364246A ,2024-01-09

[9]

一种碳化硅晶体的生长方法和碳化硅晶体 [P].

张永伟 ;

袁振洲 ;

刘欣宇 .

中国专利 :CN117265664B ,2024-04-30

[10]

碳化硅晶体生长装置及大尺寸碳化硅晶体的生长方法 [P].

燕靖 ;

陈俊宏 ;

李兆颖 ;

周来平 .

中国专利 :CN115142132B ,2024-03-19

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