一种基于MOS场效应晶体管的宽带信号放大系统

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201521106617.8

申请日：

2015-12-28

公开(公告)号：

CN205265634U

公开(公告)日：

2016-05-25

发明(设计)人：

陈朋

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济开发区地盛南街1号1幢3层3016

IPC主分类号：

H03F134

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H03F 1/34 申请日:20151228 授权公告日:20160525 终止日期:20161228
2016-05-25	授权	授权

共 50 条

[1]

场效应晶体管放大器 [P].

望月拓志 .

中国专利 :CN1075685C ,1997-10-22

[2]

沟槽MOS场效应晶体管 [P].

陈译 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN212342640U ,2021-01-12

[3]

一种MOS场效应晶体管 [P].

肖韩 ;

陆梅君 ;

田意 ;

董业民 ;

高腾 ;

陈弼梅 .

中国专利 :CN205828395U ,2016-12-21

[4]

直列式MOS场效应晶体管 [P].

张开航 ;

马云洋 .

中国专利 :CN212517181U ,2021-02-09

[5]

一种用于手机信号放大的场效应晶体管系统 [P].

黎国伟 .

中国专利 :CN205232305U ,2016-05-11

[6]

一种MOS场效应晶体管 [P].

陈大鹏 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN102142458A ,2011-08-03

[7]

一种MOS场效应晶体管 [P].

李宗宇 ;

陈娟 ;

吴志成 .

中国专利 :CN117525152B ,2024-04-12

[8]

一种MOS场效应晶体管 [P].

付建峰 ;

项继超 ;

伏榕 .

中国专利 :CN222928732U ,2025-05-30

[9]

一种MOS场效应晶体管 [P].

肖韩 ;

陆梅君 ;

田意 ;

董业民 ;

高腾 ;

陈弼梅 .

中国专利 :CN107516677A ,2017-12-26

[10]

一种MOS场效应晶体管 [P].

李宗宇 ;

陈娟 ;

吴志成 .

中国专利 :CN117525152A ,2024-02-06

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