一种用于半导体器件背面保护简易曝光机

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201922253342.5

申请日：

2019-12-16

公开(公告)号：

CN210721015U

公开(公告)日：

2020-06-09

发明(设计)人：

崔文荣

申请人：

申请人地址：

226600 江苏省南通市海安经济技术开发区康华路55号

IPC主分类号：

G03F720

IPC分类号：

代理机构：

北京天盾知识产权代理有限公司 11421

代理人：

张彩珍

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-09	授权	授权

共 50 条

[1]

一种曝光方法、曝光机、半导体器件及其制造方法 [P].

樊春华 .

中国专利 :CN110361937B ,2019-10-22

[2]

一种背面曝光机 [P].

兰沈凯 ;

催豪 ;

吴杰明 .

中国专利 :CN212083890U ,2020-12-04

[3]

一种用于连通半导体器件正背面的夹具 [P].

周华芳 .

中国专利 :CN210668304U ,2020-06-02

[4]

一种用于连通半导体器件正背面的夹具 [P].

陈磊磊 .

中国专利 :CN212706397U ,2021-03-16

[5]

用于半导体器件的隔离背面触点 [P].

L·P·古勒尔 ;

C·H·华莱士 ;

刘圣斯 ;

S·阿查里亚 .

美国专利 :CN118693078A ,2024-09-24

[6]

半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、用于生产半导体器件的方法和半导体器件 [P].

河本裕介 ;

高本尚英 ;

志贺豪士 ;

浅井文辉 .

中国专利 :CN102376611A ,2012-03-14

[7]

半导体器件背面制造工艺 [P].

邓小社 ;

王根毅 ;

芮强 ;

张硕 .

中国专利 :CN104112680A ,2014-10-22

[8]

一种半导体器件的背面结构 [P].

苏冠创 .

中国专利 :CN105895677A ,2016-08-24

[9]

一种半导体器件的制备方法、装置及曝光机 [P].

唐磊 ;

章磊 ;

李成立 ;

陈海将 .

中国专利 :CN115458391A ,2022-12-09

[10]

半导体器件的背面触点 [P].

A·D·利拉克 ;

E·曼内巴赫 ;

A·潘 ;

R·E·申克尔 ;

S·A·博亚尔斯基 ;

W·拉赫马迪 ;

P·R·莫罗 ;

J·D·比勒费尔德 ;

G·杜威 ;

H·J·允 .

中国专利 :CN111696957A ,2020-09-22

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