外延膜形成方法、真空处理设备、半导体发光元件制造方法、半导体发光元件和照明装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180032579.4

申请日：

2011-04-12

公开(公告)号：

CN102959140A

公开(公告)日：

2013-03-06

发明(设计)人：

醍醐佳明石桥启次

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

C30B2938

IPC分类号：

C23C1406 C23C1434 H01L21203 H01L21683 H01L3332

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-03-06	公开	公开
2016-01-20	授权	授权
2013-04-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101430524018 IPC(主分类):C30B 29/38 专利申请号:2011800325794 申请日:20110412

共 50 条

[1]

膜形成方法、真空处理设备、半导体发光元件制造方法、半导体发光元件和照明装置 [P].

醍醐佳明 .

中国专利 :CN103918060B ,2014-07-09

[2]

外延膜形成方法、溅射设备、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件和照明装置 [P].

醍醐佳明 ;

石桥启次 .

中国专利 :CN103329248B ,2013-09-25

[3]

外延膜形成方法、溅射设备、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件和照明装置 [P].

醍醐佳明 .

中国专利 :CN104603913B ,2015-05-06

[4]

成膜方法、真空处理装置、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件、半导体电子元件的制造方法、半导体电子元件、照明装置 [P].

醍醐佳明 ;

清野拓哉 ;

大塚喜隆 ;

牧田裕之 ;

石桥奏太朗 ;

山中和人 .

中国专利 :CN107078031B ,2017-08-18

[5]

半导体发光元件、照明装置和半导体发光元件的制造方法 [P].

竹内邦生 ;

久纳康光 .

中国专利 :CN101361203B ,2009-02-04

[6]

半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法 [P].

楠木克辉 ;

佐藤寿朗 .

中国专利 :CN103972337A ,2014-08-06

[7]

成膜方法、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件和照明装置 [P].

醍醐佳明 .

中国专利 :CN105190842A ,2015-12-23

[8]

半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法和发光装置 [P].

篠原裕直 ;

平野健介 .

中国专利 :CN103227259B ,2013-07-31

[9]

半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法 [P].

酒井光彦 .

中国专利 :CN101322255A ,2008-12-10

[10]

半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法 [P].

小鹿优太 ;

门胁嘉孝 .

日本专利 :CN113272974B ,2025-08-05

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