用单独的字线和擦除栅形成闪存存储器的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680061627.5

申请日：

2016-10-14

公开(公告)号：

CN108140414A

公开(公告)日：

2018-06-08

发明(设计)人：

C-M.陈 M-T.吴 J-W.杨 C-S.苏 N.杜

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

G11C1602

IPC分类号：

G11C1134 G06F1300

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

毕铮;闫小龙

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 16/02 申请日:20161014
2021-11-26	授权	授权
2018-06-08	公开	公开

共 50 条

[1]

具有浮栅、字线、擦除栅的分裂栅非易失性存储器单元 [P].

J-W.杨 ;

M-T.吴 ;

C-M.陈 ;

M.塔达约尼 ;

C-S.苏 ;

N.杜 .

中国专利 :CN107851657B ,2018-03-27

[2]

具有单独的存储器读取、编程和擦除的闪存存储器阵列 [P].

X.郭 ;

F.M.巴亚特 ;

D.斯特鲁科夫 ;

N.杜 ;

H.V.陈 ;

V.蒂瓦里 .

中国专利 :CN109643564A ,2019-04-16

[3]

闪存存储器、闪存存储器的形成方法、写入及擦除方法 [P].

王阳 ;

余大壮 ;

钟怡 .

中国专利 :CN121001351A ,2025-11-21

[4]

编程具有擦除栅的分裂栅闪存存储器单元的方法 [P].

Y·卡其夫 ;

A·柯多夫 ;

N·多 .

中国专利 :CN112585680A ,2021-03-30

[5]

具有隔离区上擦除栅的非易失性存储器 [P].

R·T·F·范谢克 ;

M·J·范杜伦 .

中国专利 :CN100505316C ,2007-05-23

[6]

具有设置在字线栅上方的擦除栅的分裂栅非易失性存储器单元及其制备方法 [P].

王春明 ;

X·刘 ;

宋国祥 ;

邢精成 ;

N·多 .

美国专利 :CN114335186B ,2025-02-07

[7]

具有设置在字线栅上方的擦除栅的分裂栅非易失性存储器单元及其制备方法 [P].

王春明 ;

X·刘 ;

宋国祥 ;

邢精成 ;

N·多 .

中国专利 :CN114335186A ,2022-04-12

[8]

干扰减轻的字线驱动电路、快闪存储器和擦除方法 [P].

王林凯 ;

苏如伟 ;

胡洪 .

中国专利 :CN104217749B ,2014-12-17

[9]

分栅快闪存储器的形成方法 [P].

汤志林 .

中国专利 :CN117377317A ,2024-01-09

[10]

形成分裂栅闪存存储器单元的方法 [P].

C.王 ;

X.刘 ;

N.杜 ;

邢精成 ;

G.Y.刘 ;

刁颖 .

美国专利 :CN112185815B ,2024-07-23

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