电学性能测试方法及装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810072455.2
申请日
2018-01-25
公开(公告)号
CN108254673A
公开(公告)日
2018-07-06
发明(设计)人
刘光锟
申请人
申请人地址
350000 福建省福州市仓山区盖山投资区内(高旺村11号)
IPC主分类号
G01R3128
IPC分类号
代理机构
北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350
代理人
汤东凤
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
电学性能测试方法及其测试设备 [P]. 
叶明修 ;
方家彦 ;
刘致宏 ;
云正隆 ;
柯昆龙 .
中国专利 :CN101813745A ,2010-08-25
[2]
测试元件组、电学性能测试方法、阵列基板、显示装置 [P]. 
廖中伟 ;
樊超 ;
赵永强 ;
蒋冬舜 ;
陈胡建 .
中国专利 :CN109166507A ,2019-01-08
[3]
一种电学性能测试平台及方法 [P]. 
赵嵩煦 ;
张方 ;
黄文流 .
中国专利 :CN118504499B ,2024-12-27
[4]
一种电学性能测试平台及方法 [P]. 
赵嵩煦 ;
张方 ;
黄文流 .
中国专利 :CN118504499A ,2024-08-16
[5]
封装芯片电学性能的测试方法 [P]. 
梅萌 ;
史刚 ;
王培春 ;
李广峰 .
中国专利 :CN113539868A ,2021-10-22
[6]
电子元器件低温电学性能测试装置及方法 [P]. 
郭国平 ;
路腾腾 ;
李臻 ;
雒超 .
中国专利 :CN107589333A ,2018-01-16
[7]
一种电子元器件低温辐照电学性能测试装置及方法 [P]. 
潘瑜 ;
顾祥 ;
郭浩 ;
纪旭明 ;
王育铭 ;
李金航 ;
常瑞恒 ;
谢儒彬 .
中国专利 :CN121069066A ,2025-12-05
[8]
氮化镓衬底上生长栅介质的方法及电学性能测试方法 [P]. 
魏星 ;
曹铎 ;
狄增峰 ;
方子韦 .
中国专利 :CN103745923B ,2014-04-23
[9]
栅介质的电学性能的测试方法 [P]. 
魏星 ;
曹铎 ;
狄增峰 ;
方子韦 .
中国专利 :CN103745941B ,2014-04-23
[10]
电学性能检测装置 [P]. 
鄢巧明 ;
张玉萍 ;
黄亚君 .
中国专利 :CN209303243U ,2019-08-27