半导体器件的制造方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711339191.4

申请日：

2017-12-14

公开(公告)号：

CN109427672A

公开(公告)日：

2019-03-05

发明(设计)人：

杨玉麟李东颖余绍铭郑兆钦陈自强黄昭宪

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L27088

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20171214
2019-03-05	公开	公开
2021-02-26	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

舛冈富士雄 ;

原田望 .

中国专利 :CN102792452A ,2012-11-21

[2]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

多木俊裕 ;

西森理人 ;

今田忠纮 .

中国专利 :CN103201841A ,2013-07-10

[3]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

江间泰示 ;

藤田和司 .

中国专利 :CN102446768A ,2012-05-09

[4]

制造半导体器件的方法及半导体器件 [P].

镰田阳一 .

中国专利 :CN102651315A ,2012-08-29

[5]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN103779219A ,2014-05-07

[6]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

马克·范·达尔 ;

戈本·多恩伯斯 .

中国专利 :CN109524464B ,2019-03-26

[7]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

王凡 ;

张洪强 .

中国专利 :CN119584647B ,2025-10-28

[8]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

尾崎史朗 .

中国专利 :CN103311290A ,2013-09-18

[9]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

藤田和司 ;

江间泰示 ;

堀充明 ;

鸟居泰伸 .

中国专利 :CN103579347B ,2014-02-12

[10]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

井口总一郎 .

中国专利 :CN103367448A ,2013-10-23

← 1 2 3 4 5 →