高深宽比的硅基深槽结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200820222266.0

申请日：

2008-11-04

公开(公告)号：

CN201408748Y

公开(公告)日：

2010-02-17

发明(设计)人：

蔡长龙马睿刘欢周顺秦文罡高爱华刘卫国

申请人：

申请人地址：

710032陕西省西安市金花北路4号

IPC主分类号：

H01L2300

IPC分类号：

H01L213065 H01L21308

代理机构：

陕西电子工业专利中心

代理人：

程晓霞

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-02-17	授权	授权
2012-01-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101166311029 IPC(主分类):H01L 23/00 专利号:ZL2008202222660 申请日:20081104 授权公告日:20100217 终止日期:20101104

共 50 条

[1]

高深宽比硅深刻蚀方法 [P].

张大成 ;

李明 ;

李婷 ;

邓珂 ;

李修函 ;

王阳元 .

中国专利 :CN1209799C ,2003-07-23

[2]

一种基于深反应离子刻蚀技术制备高深宽比硅微结构的方法 [P].

陈婷婷 .

中国专利 :CN105600740A ,2016-05-25

[3]

一种高深宽比结构的硅深刻蚀方法 [P].

李力一 ;

于道江 .

中国专利 :CN119361425A ,2025-01-24

[4]

高深宽比氧化硅刻蚀工艺 [P].

罗葵 ;

张大成 ;

王兆江 ;

李婷 ;

田大宇 ;

王玮 ;

王颖 ;

李静 .

中国专利 :CN101372311A ,2009-02-25

[5]

一种具有高深宽比的全硅微色谱柱 [P].

冯飞 ;

张海燕 .

中国专利 :CN217747109U ,2022-11-08

[6]

多层高深宽比硅台阶深刻蚀方法 [P].

张大成 ;

李婷 ;

邓珂 ;

田大宇 ;

李静 ;

王玮 ;

王兆江 ;

王阳元 .

中国专利 :CN1438544A ,2003-08-27

[7]

一种高深宽比微孔槽标准器 [P].

陈露 ;

赵锦春 ;

刘辉 ;

封志明 ;

马涛 .

中国专利 :CN221037183U ,2024-05-28

[8]

高深宽比玻璃刻蚀工艺 [P].

罗葵 ;

张大成 ;

王兆江 ;

李婷 ;

田大宇 ;

王玮 ;

王颖 ;

李静 .

中国专利 :CN101357825A ,2009-02-04

[9]

高深宽比的超结功率半导体结构 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

黄韵娜 .

中国专利 :CN213150784U ,2021-05-07

[10]

一种用于高深宽比产品电铸的电铸槽 [P].

简旭宏 .

中国专利 :CN213203263U ,2021-05-14

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