功率半导体器件封装及制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201010200560.3
申请日
2010-06-02
公开(公告)号
CN101930957B
公开(公告)日
2010-12-29
发明(设计)人
鲁军 弗兰克斯·赫尔伯特 刘凯 张晓天
申请人
申请人地址
美国加利福尼亚州桑尼维尔墨丘利大道495号
IPC主分类号
H01L2348
IPC分类号
H01L2500 H01L2352 H01L23492 H01L2160
代理机构
上海申新律师事务所 31272
代理人
竺路玲
法律状态
实质审查的生效
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
功率半导体器件封装及制造方法 [P]. 
鲁军 ;
弗兰克斯·赫尔伯特 ;
刘凯 ;
张晓天 .
中国专利 :CN102655134A ,2012-09-05
[2]
功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P]. 
C·奎斯特-马特 ;
D·巴贡 ;
D·沃尔夫 .
中国专利 :CN114450783A ,2022-05-06
[3]
功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P]. 
C·奎斯特-马特 ;
D·巴贡 ;
D·沃尔夫 .
德国专利 :CN114450783B ,2025-11-11
[4]
功率半导体器件和功率半导体器件的制造方法 [P]. 
D·卡塞斯 ;
A·科泽尼茨 ;
H·舒尔茨 ;
F·乌姆巴赫 .
中国专利 :CN115706008A ,2023-02-17
[5]
功率半导体器件的封装结构、制造方法及应用 [P]. 
魏晓光 ;
唐新灵 ;
韩荣刚 ;
林仲康 ;
王亮 ;
李玲 .
中国专利 :CN118198018A ,2024-06-14
[6]
功率半导体器件的封装结构、制造方法及应用 [P]. 
魏晓光 ;
唐新灵 ;
韩荣刚 ;
林仲康 ;
王亮 ;
李玲 .
中国专利 :CN118198018B ,2025-07-08
[7]
功率半导体器件及功率半导体器件的制造方法 [P]. 
苏梨梨 ;
曹俊 ;
敖利波 ;
史波 ;
马浩华 .
中国专利 :CN113394204B ,2021-09-14
[8]
半导体封装制造方法及半导体器件 [P]. 
千硕杓 ;
金炅吾 .
中国专利 :CN101174571A ,2008-05-07
[9]
竖向功率半导体器件、半导体晶片或裸管芯布置、载体和制造竖向功率半导体器件的方法 [P]. 
A·布罗克迈尔 ;
F·J·桑托斯罗德里格斯 ;
H-J·舒尔策 .
中国专利 :CN112885888A ,2021-06-01
[10]
功率半导体封装结构及制造方法 [P]. 
刘成振 ;
崔晓 ;
王钦 ;
朱贤龙 ;
闫鹏修 ;
刘军 .
中国专利 :CN117012733B ,2024-04-02