用于形成顶层抗反射膜的组合物以及使用该组合物的图案形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880119991.8

申请日：

2008-12-10

公开(公告)号：

CN101849209A

公开(公告)日：

2010-09-29

发明(设计)人：

秋山靖能谷刚仓本胜利高野祐辅

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

G03F711

IPC分类号：

H01L21027

代理机构：

北京三幸商标专利事务所 11216

代理人：

刘激扬

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-28	授权	授权
2010-11-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101016485145 IPC(主分类):G03F 7/11 专利申请号:2008801199918 申请日:20081210
2015-04-29	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101714444360 IPC(主分类):G03F 7/11 专利号:ZL2008801199918 变更事项:专利权人变更前权利人:AZ电子材料IP(日本)株式会社变更后权利人:默克专利有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本国东京都变更后权利人:德国达姆施塔特登记生效日:20150410
2010-09-29	公开	公开
2012-06-27	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101391727747 IPC(主分类):G03F 7/11 专利申请号:2008801199918 变更事项:申请人变更前权利人:AZ电子材料(日本)株式会社变更后权利人:AZ电子材料IP(日本)株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本国东京都变更后权利人:日本国东京都登记生效日:20120522

共 50 条

[1]

用于形成抗反射膜的组合物以及使用该组合物的图案形成方法 [P].

能谷刚 ;

秋山靖 ;

高野祐辅 .

中国专利 :CN101910946B ,2010-12-08

[2]

形成抗蚀剂下层膜的组合物及使用该组合物的抗蚀剂图案的形成方法 [P].

大西龙慈 ;

远藤贵文 ;

坂本力丸 .

中国专利 :CN103415809B ,2013-11-27

[3]

抗蚀剂下层膜形成用组合物以及使用该组合物的抗蚀剂图案的形成方法 [P].

境田康志 ;

西田登喜雄 ;

藤谷德昌 ;

坂本力丸 .

中国专利 :CN106233207A ,2016-12-14

[4]

上表面抗反射膜形成用组合物以及使用其的图案形成方法 [P].

片山朋英 ;

佐尾高步 .

中国专利 :CN103460136A ,2013-12-18

[5]

防反射涂层用组合物及使用该组合物的图案形成方法 [P].

松尾二郎 ;

高野圣史 ;

高野祐辅 ;

秋山靖 .

中国专利 :CN100587600C ,2010-02-03

[6]

用于形成细微抗蚀图案的组合物和使用该组合物的图案形成方法 [P].

王晓伟 .

中国专利 :CN108351606A ,2018-07-31

[7]

抗蚀剂辅助膜组合物和使用了该组合物的图案形成方法 [P].

冈田拓巳 ;

星野良辅 ;

佐藤英之 ;

片桐诚之 ;

铃木周 ;

越后雅敏 .

日本专利 :CN119452307A ,2025-02-14

[8]

使用膜形成组合物的图案形成方法 [P].

山下直纪 ;

石川清 ;

坂本好谦 ;

北条卓马 .

中国专利 :CN101263429B ,2008-09-10

[9]

抗蚀剂辅助膜组合物和使用该组合物的图案形成方法 [P].

冈田拓巳 ;

星野良辅 ;

佐藤英之 ;

片桐诚之 ;

铃木周 ;

越后雅敏 .

日本专利 :CN117769684A ,2024-03-26

[10]

抗蚀剂下层膜形成用组合物及使用了该组合物的抗蚀剂图案的形成方法 [P].

清水祥 ;

水落龙太 ;

若山浩之 ;

染谷安信 .

日本专利 :CN112789556B ,2025-02-11

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