抗蚀剂下层膜形成用组合物及使用了该组合物的抗蚀剂图案的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980064842.4

申请日：

2019-10-01

公开(公告)号：

CN112789556B

公开(公告)日：

2025-02-11

发明(设计)人：

清水祥水落龙太若山浩之染谷安信

申请人：

日产化学株式会社

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

G03F7/11

IPC分类号：

C08G59/22 C08G59/40 H01L21/027

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

马妮楠;段承恩

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-11	授权	授权

共 50 条

[1]

抗蚀剂下层膜形成用组合物及使用了该组合物的抗蚀剂图案的形成方法 [P].

清水祥 ;

水落龙太 ;

若山浩之 ;

染谷安信 .

中国专利 :CN112789556A ,2021-05-11

[2]

形成抗蚀剂下层膜的组合物及使用该组合物的抗蚀剂图案的形成方法 [P].

大西龙慈 ;

远藤贵文 ;

坂本力丸 .

中国专利 :CN103415809B ,2013-11-27

[3]

抗蚀剂下层膜形成用组合物以及使用该组合物的抗蚀剂图案的形成方法 [P].

境田康志 ;

西田登喜雄 ;

藤谷德昌 ;

坂本力丸 .

中国专利 :CN106233207A ,2016-12-14

[4]

抗蚀剂下层膜形成用组合物和使用其的抗蚀剂图案的形成方法 [P].

西田登喜雄 ;

大西龙慈 ;

藤谷德昌 ;

坂本力丸 .

中国专利 :CN105579909A ,2016-05-11

[5]

抗蚀剂下层膜形成用组合物及使用了该组合物的抗蚀剂图案的形成方法 [P].

绪方裕斗 ;

臼井友辉 ;

田村护 ;

岸冈高广 .

中国专利 :CN108713164A ,2018-10-26

[6]

抗蚀剂下层膜形成用组合物和使用了该组合物的抗蚀剂图案的形成方法 [P].

坂本力丸 ;

藤谷德昌 ;

远藤贵文 ;

大西龙慈 ;

何邦庆 .

中国专利 :CN103221888B ,2013-07-24

[7]

抗蚀剂下层膜形成用组合物 [P].

绪方裕斗 ;

德永光 ;

西卷裕和 ;

中岛诚 .

中国专利 :CN113544586A ,2021-10-22

[8]

抗蚀剂下层膜形成用组合物 [P].

绪方裕斗 ;

德永光 ;

西卷裕和 ;

中岛诚 .

日本专利 :CN113544586B ,2025-12-19

[9]

抗蚀剂下层膜形成用组合物 [P].

绪方裕斗 ;

广原知忠 ;

西卷裕和 ;

中岛诚 .

中国专利 :CN113906077A ,2022-01-07

[10]

抗蚀剂下层膜形成用组合物 [P].

绪方裕斗 ;

广原知忠 ;

西卷裕和 ;

中岛诚 .

日本专利 :CN113906077B ,2024-08-13

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