抗蚀剂下层膜形成用组合物及使用了该组合物的抗蚀剂图案的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780015920.2

申请日：

2017-02-23

公开(公告)号：

CN108713164A

公开(公告)日：

2018-10-26

发明(设计)人：

绪方裕斗臼井友辉田村护岸冈高广

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

G03F711

IPC分类号：

G03F709 G03F720 H01L21027 C08G6358 C08G63688

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

段承恩;孙丽梅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/11 申请日:20170223
2022-03-18	授权	授权
2018-10-26	公开	公开

共 50 条

[1]

抗蚀剂下层膜形成用组合物及使用了该组合物的抗蚀剂图案的形成方法 [P].

清水祥 ;

水落龙太 ;

若山浩之 ;

染谷安信 .

日本专利 :CN112789556B ,2025-02-11

[2]

抗蚀剂下层膜形成用组合物及使用了该组合物的抗蚀剂图案的形成方法 [P].

清水祥 ;

水落龙太 ;

若山浩之 ;

染谷安信 .

中国专利 :CN112789556A ,2021-05-11

[3]

形成抗蚀剂下层膜的组合物及使用该组合物的抗蚀剂图案的形成方法 [P].

大西龙慈 ;

远藤贵文 ;

坂本力丸 .

中国专利 :CN103415809B ,2013-11-27

[4]

抗蚀剂下层膜形成用组合物以及使用该组合物的抗蚀剂图案的形成方法 [P].

境田康志 ;

西田登喜雄 ;

藤谷德昌 ;

坂本力丸 .

中国专利 :CN106233207A ,2016-12-14

[5]

抗蚀剂下层膜形成用组合物和使用了该组合物的抗蚀剂图案的形成方法 [P].

坂本力丸 ;

藤谷德昌 ;

远藤贵文 ;

大西龙慈 ;

何邦庆 .

中国专利 :CN103221888B ,2013-07-24

[6]

抗蚀剂组合物和使用该抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜形成方法 [P].

冈田拓巳 ;

星野良辅 ;

佐藤英之 ;

片桐诚之 ;

铃木周 ;

越后雅敏 .

日本专利 :CN117716290A ,2024-03-15

[7]

抗蚀剂下层膜形成用组合物 [P].

西田登喜雄 ;

坂本力丸 .

中国专利 :CN109690405B ,2019-04-26

[8]

抗蚀剂下层膜形成用组合物和图案形成方法 [P].

丰川郁宏 ;

中藤慎也 ;

若松刚史 .

中国专利 :CN104603691B ,2015-05-06

[9]

抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂下层膜、抗蚀剂图案的形成方法及半导体装置的制造方法 [P].

齐藤大悟 ;

桥本圭祐 ;

坂本力丸 .

中国专利 :CN110832397A ,2020-02-21

[10]

抗蚀剂下层膜形成用组合物和使用其的抗蚀剂图案的形成方法 [P].

西田登喜雄 ;

大西龙慈 ;

藤谷德昌 ;

坂本力丸 .

中国专利 :CN105579909A ,2016-05-11

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