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半导体装置、半导体芯片以及半导体芯片的测试方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201710293925.3
申请日
:
2017-04-28
公开(公告)号
:
CN107393842B
公开(公告)日
:
2017-11-24
发明(设计)人
:
政井英树
申请人
:
申请人地址
:
日本神奈川县横滨市
IPC主分类号
:
H01L2166
IPC分类号
:
代理机构
:
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
:
闫小龙;郑冀之
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2017-11-24
公开
公开
2018-10-12
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20170428
2022-05-13
授权
授权
共 50 条
[1]
半导体装置以及半导体芯片
[P].
浅田智之
论文数:
0
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0
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浅田智之
;
福田绘理
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福田绘理
;
津波大介
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0
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津波大介
.
中国专利
:CN114270482A
,2022-04-01
[2]
半导体装置以及半导体芯片
[P].
沈贤洙
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沈贤洙
;
金润圣
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金润圣
;
金尹熙
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金尹熙
;
裴秉文
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裴秉文
;
尹俊浩
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尹俊浩
.
中国专利
:CN111211118A
,2020-05-29
[3]
半导体装置以及半导体芯片
[P].
沈贤洙
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
沈贤洙
;
金润圣
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金润圣
;
金尹熙
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金尹熙
;
裴秉文
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
裴秉文
;
尹俊浩
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
尹俊浩
.
韩国专利
:CN111211118B
,2025-12-05
[4]
半导体装置以及半导体芯片
[P].
峯崎藤行
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峯崎藤行
.
中国专利
:CN107579709B
,2018-01-12
[5]
半导体芯片和包括半导体芯片的半导体装置
[P].
金江旻
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金江旻
;
宋承砇
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宋承砇
;
殷东锡
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0
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殷东锡
;
郑锡和
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郑锡和
.
中国专利
:CN114388522A
,2022-04-22
[6]
半导体芯片的制造方法、半导体芯片及半导体装置
[P].
浅野佑策
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浅野佑策
;
樋口和人
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樋口和人
;
富冈泰造
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富冈泰造
;
井口知洋
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0
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井口知洋
.
中国专利
:CN104637877A
,2015-05-20
[7]
半导体芯片、半导体晶片以及半导体芯片的制造方法
[P].
内田正雄
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内田正雄
;
林将志
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林将志
.
中国专利
:CN102782804A
,2012-11-14
[8]
半导体芯片的标记方法、半导体芯片的制造方法以及半导体芯片
[P].
松林弘人
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机构:
三菱电机株式会社
三菱电机株式会社
松林弘人
;
三浦猛
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机构:
三菱电机株式会社
三菱电机株式会社
三浦猛
;
山部滋生
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机构:
三菱电机株式会社
三菱电机株式会社
山部滋生
.
日本专利
:CN118633147A
,2024-09-10
[9]
半导体芯片的制造方法以及半导体芯片
[P].
楠木克辉
论文数:
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楠木克辉
.
中国专利
:CN1890782A
,2007-01-03
[10]
半导体芯片以及制造半导体芯片的方法
[P].
U·斯特劳斯
论文数:
0
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U·斯特劳斯
.
中国专利
:CN101542751A
,2009-09-23
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