包括蚀刻装置和清洗装置的干蚀刻机

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710102093.9

申请日：

2007-05-17

公开(公告)号：

CN101117714A

公开(公告)日：

2008-02-06

发明(设计)人：

崔载铉

申请人：

申请人地址：

韩国忠清南道天安市业成洞623－5

IPC主分类号：

C23F108

IPC分类号：

代理机构：

北京连和连知识产权代理有限公司

代理人：

王光辉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-02-06	公开	公开
2008-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-05-04	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101083896856 IPC(主分类):C23F 1/08 专利申请号:2007101020939 公开日:20080206

共 50 条

[1]

干蚀刻装置 [P].

刘圣烈 ;

崔承镇 ;

宋泳锡 ;

董敏 .

中国专利 :CN101656192B ,2010-02-24

[2]

干蚀刻装置 [P].

周婷婷 .

中国专利 :CN218299746U ,2023-01-13

[3]

壳体组件和干蚀刻机 [P].

刘志豪 ;

杨建 ;

刘亚兵 .

中国专利 :CN207338297U ,2018-05-08

[4]

阵列基板的蚀刻装置和蚀刻机 [P].

张阳圣 ;

康报虹 .

中国专利 :CN215220663U ,2021-12-17

[5]

干蚀刻机下电极和干蚀刻机 [P].

焦恩吉 .

中国专利 :CN223092811U ,2025-07-11

[6]

干蚀刻机及干蚀刻机的下电极 [P].

张占东 .

中国专利 :CN105428197A ,2016-03-23

[7]

干蚀刻机 [P].

朱麟 .

中国专利 :CN214378322U ,2021-10-08

[8]

蚀刻气体的供给方法和蚀刻装置 [P].

小笠原正宏 ;

加藤义之 ;

水野秀树 ;

早川欣延 .

中国专利 :CN102376558A ,2012-03-14

[9]

干蚀刻装置及干蚀刻方法 [P].

及川弘太 .

中国专利 :CN1649105A ,2005-08-03

[10]

干蚀刻方法及干蚀刻装置 [P].

小藤直行 ;

桑原谦一 .

中国专利 :CN111801773A ,2020-10-20

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