场效应晶体管的制备方法及利用其制备的场效应晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610269083.3

申请日：

2016-04-27

公开(公告)号：

CN105742500B

公开(公告)日：

2016-07-06

发明(设计)人：

黄永安江海霞丁亚江

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

H01L5140

IPC分类号：

H01L5105

代理机构：

华中科技大学专利中心 42201

代理人：

李智

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-06	公开	公开
2016-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101672627504 IPC(主分类):H01L 51/40 专利申请号:2016102690833 申请日:20160427
2018-11-02	授权	授权

共 50 条

[1]

场效应晶体管制备方法及场效应晶体管 [P].

卢年端 ;

揣喜臣 ;

杨冠华 ;

李泠 ;

耿玓 ;

刘明 .

中国专利 :CN110061063A ,2019-07-26

[2]

场效应晶体管制备方法及场效应晶体管 [P].

揣喜臣 ;

卢年端 ;

杨冠华 ;

李泠 ;

耿玓 ;

刘明 .

中国专利 :CN110112073A ,2019-08-09

[3]

场效应晶体管 [P].

野本和正 .

中国专利 :CN1905230A ,2007-01-31

[4]

场效应晶体管 [P].

李珉贤 ;

薛珉洙 ;

赵连柱 ;

申铉振 .

中国专利 :CN113497138A ,2021-10-12

[5]

场效应晶体管 [P].

小桥昌浩 ;

半田敬信 ;

荒牧晋司 ;

酒井良正 .

中国专利 :CN100594617C ,2005-09-21

[6]

场效应晶体管 [P].

天清宗山 ;

户塚正裕 .

中国专利 :CN101853879B ,2010-10-06

[7]

场效应晶体管 [P].

R·M·贝里格伦 ;

B·G·古斯塔夫松 ;

J·R·A·卡尔松 .

中国专利 :CN1210808C ,2001-05-02

[8]

场效应晶体管 [P].

井腰文智 ;

桥诘真吾 ;

引田正洋 ;

山际优人 ;

柳原学 .

中国专利 :CN102194866A ,2011-09-21

[9]

场效应晶体管 [P].

胁田尚英 ;

田中健一郎 ;

石田昌宏 ;

田村聪之 ;

柴田大辅 .

中国专利 :CN103038869B ,2013-04-10

[10]

场效应晶体管 [P].

荒牧晋司 ;

芳山龙一 ;

大野玲 ;

酒井良正 .

中国专利 :CN101032031A ,2007-09-05

← 1 2 3 4 5 →