一种大电流功率半导体器件的封装结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201621082830.4

申请日：

2016-09-26

公开(公告)号：

CN206116387U

公开(公告)日：

2017-04-19

发明(设计)人：

朱袁正朱久桃余传武陈慧玲

申请人：

申请人地址：

214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼

IPC主分类号：

H01L2349

IPC分类号：

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

曹祖良

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-04-19	授权	授权
2020-09-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/49 申请日:20160926 授权公告日:20170419 终止日期:20190926

共 50 条

[1]

一种大电流功率半导体器件的封装结构及制造方法 [P].

朱袁正 ;

朱久桃 ;

余传武 ;

陈慧玲 .

中国专利 :CN106298722A ,2017-01-04

[2]

一种大电流功率半导体器件的封装结构 [P].

朱袁正 ;

朱久桃 ;

叶鹏 ;

杲永亮 .

中国专利 :CN205984966U ,2017-02-22

[3]

大电流半导体功率器件 [P].

朱袁正 ;

朱久桃 ;

叶鹏 ;

杨卓 .

中国专利 :CN209785910U ,2019-12-13

[4]

大电流半导体功率器件 [P].

朱袁正 ;

朱久桃 ;

叶鹏 ;

杨卓 .

中国专利 :CN110164832A ,2019-08-23

[5]

功率半导体器件的封装结构 [P].

江琛琛 .

中国专利 :CN210142649U ,2020-03-13

[6]

利于焊接的大电流半导体功率器件 [P].

朱袁正 ;

朱久桃 ;

叶鹏 ;

杨卓 .

中国专利 :CN209804635U ,2019-12-17

[7]

一种功率半导体器件的封装结构 [P].

朱克干 ;

吴德皇 ;

宋淑伟 .

中国专利 :CN201946588U ,2011-08-24

[8]

一种功率半导体器件的封装结构 [P].

沈良金 .

中国专利 :CN218333767U ,2023-01-17

[9]

一种大电流功率半导体模块 [P].

孙伟 ;

杨成标 ;

刘婧 ;

邢雁 ;

李新安 ;

王维 ;

孙娅男 ;

周霖 .

中国专利 :CN204391106U ,2015-06-10

[10]

功率半导体器件的组合封装结构 [P].

张志平 .

中国专利 :CN204391107U ,2015-06-10

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