一种大电流功率半导体器件的封装结构及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610852313.9

申请日：

2016-09-26

公开(公告)号：

CN106298722A

公开(公告)日：

2017-01-04

发明(设计)人：

朱袁正朱久桃余传武陈慧玲

申请人：

申请人地址：

214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼

IPC主分类号：

H01L2349

IPC分类号：

H01L2160

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

曹祖良

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-01-04	公开	公开
2019-10-11	授权	授权
2017-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101700838930 IPC(主分类):H01L 23/49 专利申请号:2016108523139 申请日:20160926

共 50 条

[1]

一种大电流功率半导体器件的封装结构 [P].

朱袁正 ;

朱久桃 ;

余传武 ;

陈慧玲 .

中国专利 :CN206116387U ,2017-04-19

[2]

一种大电流功率半导体器件的封装结构 [P].

朱袁正 ;

朱久桃 ;

叶鹏 ;

杲永亮 .

中国专利 :CN205984966U ,2017-02-22

[3]

大电流半导体功率器件 [P].

朱袁正 ;

朱久桃 ;

叶鹏 ;

杨卓 .

中国专利 :CN209785910U ,2019-12-13

[4]

大电流半导体功率器件 [P].

朱袁正 ;

朱久桃 ;

叶鹏 ;

杨卓 .

中国专利 :CN110164832A ,2019-08-23

[5]

功率半导体器件的封装结构及方法 [P].

江琛琛 .

中国专利 :CN110491854A ,2019-11-22

[6]

一种功率半导体器件封装结构及封装方法 [P].

武伟 ;

韩荣刚 ;

张喆 ;

李现兵 ;

石浩 ;

张朋 ;

唐新灵 ;

王亮 ;

林仲康 ;

田丽纷 .

中国专利 :CN108231706A ,2018-06-29

[7]

利于焊接的大电流半导体功率器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

朱久桃 ;

叶鹏 ;

杨卓 .

中国专利 :CN110164831A ,2019-08-23

[8]

功率半导体器件的封装结构 [P].

江琛琛 .

中国专利 :CN210142649U ,2020-03-13

[9]

功率半导体器件封装及制造方法 [P].

鲁军 ;

弗兰克斯·赫尔伯特 ;

刘凯 ;

张晓天 .

中国专利 :CN101930957B ,2010-12-29

[10]

功率半导体器件封装及制造方法 [P].

鲁军 ;

弗兰克斯·赫尔伯特 ;

刘凯 ;

张晓天 .

中国专利 :CN102655134A ,2012-09-05

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