利于焊接的大电流半导体功率器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910470952.2

申请日：

2019-05-31

公开(公告)号：

CN110164831A

公开(公告)日：

2019-08-23

发明(设计)人：

朱袁正朱久桃叶鹏杨卓

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区研发二路以南，研发一路以东

IPC主分类号：

H01L2331

IPC分类号：

H01L23488 H01L23495 H01L2148 H01L2156

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

曹祖良

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/31 申请日:20190531

共 50 条

[1]

利于焊接的大电流半导体功率器件 [P].

朱袁正 ;

朱久桃 ;

叶鹏 ;

杨卓 .

中国专利 :CN209804635U ,2019-12-17

[2]

大电流半导体功率器件 [P].

朱袁正 ;

朱久桃 ;

叶鹏 ;

杨卓 .

中国专利 :CN209785910U ,2019-12-13

[3]

大电流半导体功率器件 [P].

朱袁正 ;

朱久桃 ;

叶鹏 ;

杨卓 .

中国专利 :CN110164832A ,2019-08-23

[4]

一种利于焊接的大电流半导体功率器件 [P].

林超峰 .

中国专利 :CN114156239A ,2022-03-08

[5]

一种大电流半导体功率器件 [P].

龚小华 .

中国专利 :CN113327897A ,2021-08-31

[6]

半导体功率器件及其制造方法 [P].

刘明焦 .

中国专利 :CN112397578A ,2021-02-23

[7]

半导体功率器件及其制造方法 [P].

J·班达里 ;

G·帕特勒 ;

M·罗施 ;

W·舒斯特雷德 ;

S·维塔诺夫 .

中国专利 :CN114914302A ,2022-08-16

[8]

半导体功率器件及其制造方法 [P].

史波 ;

曾丹 ;

敖利波 ;

吴佳蒙 .

中国专利 :CN112086502A ,2020-12-15

[9]

半导体功率器件及其制造方法 [P].

许天赐 ;

曾大杰 .

中国专利 :CN119545849A ,2025-02-28

[10]

半导体功率器件及其制造方法 [P].

王鹏飞 ;

毛振东 ;

范让萱 .

中国专利 :CN117954490A ,2024-04-30

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