一种利于焊接的大电流半导体功率器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110465339.9

申请日：

2021-04-28

公开(公告)号：

CN114156239A

公开(公告)日：

2022-03-08

发明(设计)人：

林超峰

申请人：

申请人地址：

362300 福建省泉州市南安市雪峰华侨经济开发区侨新路1号

IPC主分类号：

H01L2312

IPC分类号：

H01L2334

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-08	公开	公开
2022-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/12 申请日:20210428

共 50 条

[1]

利于焊接的大电流半导体功率器件 [P].

朱袁正 ;

朱久桃 ;

叶鹏 ;

杨卓 .

中国专利 :CN209804635U ,2019-12-17

[2]

利于焊接的大电流半导体功率器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

朱久桃 ;

叶鹏 ;

杨卓 .

中国专利 :CN110164831A ,2019-08-23

[3]

大电流半导体功率器件 [P].

朱袁正 ;

朱久桃 ;

叶鹏 ;

杨卓 .

中国专利 :CN209785910U ,2019-12-13

[4]

大电流半导体功率器件 [P].

朱袁正 ;

朱久桃 ;

叶鹏 ;

杨卓 .

中国专利 :CN110164832A ,2019-08-23

[5]

一种大电流半导体功率器件 [P].

龚小华 .

中国专利 :CN113327897A ,2021-08-31

[6]

设置有电流阻断层的功率半导体器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

周锦程 ;

刘晶晶 ;

杨卓 .

中国专利 :CN216793694U ,2022-06-21

[7]

大电流半导体器件以及大电流半导体器件框架 [P].

郭可桢 ;

熊会军 ;

徐锐 .

中国专利 :CN203218250U ,2013-09-25

[8]

一种半导体功率器件的边缘终端和半导体功率器件 [P].

高秀秀 ;

刘洪伟 ;

李然 ;

戴小平 .

中国专利 :CN217361591U ,2022-09-02

[9]

一种半导体功率器件的制造方法及半导体功率器件 [P].

杜卫星 ;

杨凯 .

中国专利 :CN121240483A ,2025-12-30

[10]

一种大电流功率半导体模块 [P].

孙伟 ;

杨成标 ;

刘婧 ;

邢雁 ;

李新安 ;

王维 ;

孙娅男 ;

周霖 .

中国专利 :CN204391106U ,2015-06-10

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