磁控溅射真空室进气装置及磁控溅射设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510003435.6

申请日：

2015-01-05

公开(公告)号：

CN104451583A

公开(公告)日：

2015-03-25

发明(设计)人：

张启平孙文波

申请人：

申请人地址：

230011 安徽省合肥市新站区铜陵北路2177号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

彭久云

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-25	公开	公开
2015-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101607372545 IPC(主分类):C23C 14/35 专利申请号:2015100034356 申请日:20150105
2017-05-10	授权	授权

共 50 条

[1]

磁控溅射真空室均匀进气装置 [P].

马磊 .

中国专利 :CN203382661U ,2014-01-08

[2]

磁控溅射真空室均匀进气装置 [P].

马磊 .

中国专利 :CN103396008A ,2013-11-20

[3]

磁控溅射组件、磁控溅射腔室及磁控溅射设备 [P].

杨玉杰 ;

丁培军 ;

张同文 .

中国专利 :CN108690961A ,2018-10-23

[4]

磁控溅射腔室及磁控溅射设备 [P].

杨玉杰 ;

邱国庆 ;

王厚工 .

中国专利 :CN104928635A ,2015-09-23

[5]

磁控溅射腔室及磁控溅射设备 [P].

张同文 ;

杨玉杰 ;

丁培军 ;

王厚工 .

中国专利 :CN108456859B ,2018-08-28

[6]

磁控溅射装置及磁控溅射设备 [P].

胡小波 ;

张晓军 ;

李佳小龙 ;

谢明辉 .

中国专利 :CN223561668U ,2025-11-18

[7]

磁控溅射装置及磁控溅射设备 [P].

胡小波 ;

张晓军 .

中国专利 :CN222182418U ,2024-12-17

[8]

磁控溅射装置、磁控溅射设备及磁控溅射的方法 [P].

田忠朋 ;

高雪伟 ;

肖磊 ;

杜建华 .

中国专利 :CN105803410B ,2016-07-27

[9]

磁控溅射组件、磁控溅射设备及磁控溅射方法 [P].

罗建恒 ;

杨帆 ;

耿宏伟 ;

李庆明 .

中国专利 :CN113699495A ,2021-11-26

[10]

磁控溅射设备 [P].

周少波 .

中国专利 :CN209816266U ,2019-12-20

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