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清洗极紫外辐射源设备的方法及极紫外辐射源设备
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910560150.0
申请日
:
2019-06-26
公开(公告)号
:
CN110653221B
公开(公告)日
:
2020-01-07
发明(设计)人
:
陈彦勳
蔡明训
王绍华
张汉龙
陈立锐
陈家桢
申请人
:
申请人地址
:
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
IPC主分类号
:
B08B700
IPC分类号
:
B08B1300
代理机构
:
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006
代理人
:
徐金国
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-08-09
授权
授权
2020-01-07
公开
公开
2021-03-26
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):B08B 7/00 申请日:20190626
共 50 条
[1]
极紫外辐射源装置
[P].
杨基
论文数:
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杨基
;
林圣达
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林圣达
;
钟仁阳
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钟仁阳
;
简上傑
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简上傑
;
陈立锐
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陈立锐
;
郑博中
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郑博中
.
中国专利
:CN110837208A
,2020-02-25
[2]
极紫外辐射源装置
[P].
吕建兴
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
吕建兴
;
涂志强
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
涂志强
;
温志伟
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
温志伟
;
曾信富
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
曾信富
;
徐子正
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
徐子正
.
中国专利
:CN222461889U
,2025-02-11
[3]
极紫外(EUV)辐射源
[P].
V·V·德什潘德
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V·V·德什潘德
;
S·V·德什潘德
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S·V·德什潘德
;
D·克利斯
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D·克利斯
;
O·格鲁申克夫
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O·格鲁申克夫
;
S·克里什南
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S·克里什南
.
中国专利
:CN106605450A
,2017-04-26
[4]
极紫外辐射源和用于产生极紫外辐射的方法
[P].
Y·V·斯戴尼克夫
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Y·V·斯戴尼克夫
;
V·Y·班尼恩
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V·Y·班尼恩
;
K·N·克什烈夫
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K·N·克什烈夫
;
O·W·V·弗吉恩斯
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O·W·V·弗吉恩斯
;
V·M·克里夫特逊
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V·M·克里夫特逊
.
中国专利
:CN101911838A
,2010-12-08
[5]
极紫外辐射源、产生极紫外辐射的方法及图案形成的方法
[P].
杨建勋
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
杨建勋
;
张克正
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
张克正
;
杨建伦
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
杨建伦
.
中国专利
:CN113126447B
,2025-03-14
[6]
基于微磁的极紫外辐射源
[P].
D·E·尼科诺夫
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D·E·尼科诺夫
;
I·A·扬
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I·A·扬
.
中国专利
:CN104519652A
,2015-04-15
[7]
用于极紫外光辐射源设备的极紫外光收集器反射镜及极紫外光辐射源设备
[P].
陈昱至
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陈昱至
;
郑博中
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郑博中
;
陈立锐
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陈立锐
;
简上傑
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简上傑
;
余昇刚
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余昇刚
;
颜炜峻
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颜炜峻
.
中国专利
:CN110658694B
,2020-01-07
[8]
可移动紫外辐射源
[P].
A·杜博尔因斯基
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A·杜博尔因斯基
;
M·舒尔
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M·舒尔
;
R·格斯卡
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R·格斯卡
.
中国专利
:CN107072261A
,2017-08-18
[9]
极紫外辐射源与半导体制程方法
[P].
郑乔华
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郑乔华
;
孙于洸
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孙于洸
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程薇心
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程薇心
;
陈宇桓
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陈宇桓
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蔡明训
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蔡明训
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赖政豪
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赖政豪
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吴政轩
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吴政轩
;
罗煜发
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罗煜发
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简上傑
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简上傑
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刘恒信
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刘恒信
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陈立锐
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陈立锐
;
余昇刚
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余昇刚
.
中国专利
:CN115047718A
,2022-09-13
[10]
辐射源
[P].
A·M·雅库尼恩
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A·M·雅库尼恩
;
J·A·C·M·皮耶宁堡
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J·A·C·M·皮耶宁堡
;
C.G.N.H.M.柯林
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C.G.N.H.M.柯林
.
中国专利
:CN111108815A
,2020-05-05
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