一种功率半导体器件安装结构及模块化制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111041798.0

申请日：

2021-09-07

公开(公告)号：

CN113795079A

公开(公告)日：

2021-12-14

发明(设计)人：

赫金涛

申请人：

申请人地址：

310053 浙江省杭州市滨江区之江科技工业园东信大道69号中恒大厦19F

IPC主分类号：

H05K118

IPC分类号：

H05K720 H01B1756 H01B1762 H05K334

代理机构：

杭州创智卓英知识产权代理事务所(普通合伙) 33324

代理人：

张迪

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H05K 1/18 申请日:20210907
2021-12-14	公开	公开

共 50 条

[1]

一种功率半导体器件安装结构 [P].

赫金涛 .

中国专利 :CN216357503U ,2022-04-19

[2]

一种功率半导体模块和功率半导体器件 [P].

新居良英 ;

刘乐 ;

刘莉飞 ;

王庆凯 ;

高崎哲 ;

苟文辉 .

中国专利 :CN210516724U ,2020-05-12

[3]

功率半导体模块、功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

D·特拉塞尔 ;

H·拜尔 ;

M·马利基 .

:CN116830247B ,2024-08-09

[4]

功率半导体器件、功率半导体模块和加工方法 [P].

罗曼·罗特 ;

弗兰克·希勒 ;

汉斯-约阿希姆·舒尔策 .

中国专利 :CN110265374B ,2019-09-20

[5]

一种功率半导体模块及制作方法 [P].

陈金秋 ;

黄兴 ;

刘昀粲 .

中国专利 :CN119275216A ,2025-01-07

[6]

一种功率半导体模块及制作方法 [P].

陈金秋 ;

黄兴 ;

刘昀粲 .

中国专利 :CN119275216B ,2025-06-10

[7]

功率半导体器件及功率半导体器件的制作方法 [P].

王群 ;

龚逸品 ;

陈张笑雄 ;

吴志浩 ;

梅劲 ;

王江波 ;

刘榕 .

中国专利 :CN117410328A ,2024-01-16

[8]

功率半导体器件制作方法及功率半导体器件 [P].

段雪 ;

洪求龙 ;

银军 ;

李明磊 ;

黄雒光 ;

张志国 ;

高永辉 ;

徐会博 .

中国专利 :CN110137092B ,2019-08-16

[9]

一种功率半导体模块及其制作方法 [P].

高志刚 ;

林育超 .

中国专利 :CN100557789C ,2008-06-11

[10]

功率半导体器件及功率半导体器件的制作方法 [P].

王群 ;

陈张笑雄 ;

龚逸品 ;

吴志浩 ;

梅劲 ;

王江波 ;

刘榕 .

中国专利 :CN117410329A ,2024-01-16

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