一种沟槽栅型半导体器件结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410607160.2

申请日：

2014-10-31

公开(公告)号：

CN104319287A

公开(公告)日：

2015-01-28

发明(设计)人：

郭景贤白玉明张海涛

申请人：

申请人地址：

214000 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园G8二楼

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L29423 H01L21331 H01L2978 H01L21336

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

李仪萍

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/739 申请公布日:20150128
2015-01-28	公开	公开
2015-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101599904895 IPC(主分类):H01L 29/739 专利申请号:2014106071602 申请日:20141031

共 50 条

[1]

沟槽型半导体器件及其制作方法 [P].

何云 ;

焦伟 .

中国专利 :CN105789043B ,2016-07-20

[2]

沟槽型半导体器件的制作方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN107230631A ,2017-10-03

[3]

沟槽栅功率半导体器件及其制作方法 [P].

罗海辉 ;

姚尧 ;

肖强 ;

肖海波 ;

覃荣震 ;

谭灿健 .

中国专利 :CN113066861A ,2021-07-02

[4]

一种沟槽栅IGBT器件结构及其制作方法 [P].

许高潮 ;

薛璐 ;

张海涛 .

中国专利 :CN109461769B ,2024-03-12

[5]

一种沟槽栅IGBT器件结构及其制作方法 [P].

许高潮 ;

薛璐 ;

张海涛 .

中国专利 :CN109461769A ,2019-03-12

[6]

一种分离栅半导体器件的制作方法 [P].

郑磊 ;

李雪梅 ;

郝思迪 .

中国专利 :CN120166725A ,2025-06-17

[7]

一种屏蔽栅功率半导体器件及其制作方法 [P].

刘科科 ;

钟义栋 ;

董云 .

中国专利 :CN117334579B ,2024-11-01

[8]

一种屏蔽栅功率半导体器件及其制作方法 [P].

刘科科 ;

钟义栋 ;

董云 .

中国专利 :CN117334579A ,2024-01-02

[9]

沟槽－栅半导体器件的制作方法 [P].

E·A·希泽恩 .

中国专利 :CN1726586A ,2006-01-25

[10]

一种功率半导体器件及其制作方法 [P].

刘国友 ;

覃荣震 ;

黄建伟 ;

张泉 ;

朱利恒 ;

戴小平 .

中国专利 :CN106684134A ,2017-05-17

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