一种沟槽栅型半导体器件结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410607160.2

申请日：

2014-10-31

公开(公告)号：

CN104319287A

公开(公告)日：

2015-01-28

发明(设计)人：

郭景贤白玉明张海涛

申请人：

申请人地址：

214000 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园G8二楼

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L29423 H01L21331 H01L2978 H01L21336

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

李仪萍

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/739 申请公布日:20150128
2015-01-28	公开	公开
2015-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101599904895 IPC(主分类):H01L 29/739 专利申请号:2014106071602 申请日:20141031

共 50 条

[41]

半导体器件的制作方法和半导体器件 [P].

姜春亮 ;

蔡远飞 ;

何昌 .

中国专利 :CN105826202B ,2016-08-03

[42]

沟槽型功率器件的沟槽栅结构及其制造方法 [P].

常虹 .

中国专利 :CN113517341A ,2021-10-19

[43]

半导体器件及其沟槽栅结构的制造方法 [P].

尹率 ;

宋彦松 ;

方宇 ;

景晓娟 ;

黄留敏 ;

周源 ;

王玉 .

中国专利 :CN112542387B ,2024-11-26

[44]

屏蔽栅沟槽型半导体器件的制造方法 [P].

顾昊元 ;

蔡晨 ;

李亮 .

中国专利 :CN114023652A ,2022-02-08

[45]

半导体器件及其沟槽栅结构的制造方法 [P].

尹率 ;

宋彦松 ;

方宇 ;

景晓娟 ;

黄留敏 ;

周源 ;

王玉 .

中国专利 :CN112542387A ,2021-03-23

[46]

一种沟槽栅IGBT半导体器件及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN110797405A ,2020-02-14

[47]

半导体器件结构及其制作方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN105845577A ,2016-08-10

[48]

半导体器件结构及其制作方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN109300896B ,2019-02-01

[49]

半导体器件结构及其制作方法 [P].

义夫 .

中国专利 :CN104241339A ,2014-12-24

[50]

沟槽栅半导体器件的制造方法 [P].

汪莹萍 ;

缪进征 .

中国专利 :CN104465349B ,2015-03-25

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