一种半导体激光器芯片及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811538852.0

申请日：

2018-12-14

公开(公告)号：

CN109638639A

公开(公告)日：

2019-04-16

发明(设计)人：

颜建蒋培

申请人：

申请人地址：

215614 江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰科创园D栋，矩阵光电

IPC主分类号：

H01S5042

IPC分类号：

H01S5323

代理机构：

北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250

代理人：

朱静谦

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/042 申请日:20181214
2019-04-16	公开	公开
2020-09-29	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01S 5/042 申请公布日:20190416

共 50 条

[1]

一种半导体激光器芯片及其制作方法 [P].

颜建 ;

胡双元 ;

吴文俊 ;

黄勇 ;

米卡·瑞桑 .

中国专利 :CN108512035A ,2018-09-07

[2]

一种半导体激光器芯片 [P].

颜建 ;

胡双元 ;

吴文俊 ;

黄勇 ;

米卡·瑞桑 .

中国专利 :CN208272357U ,2018-12-21

[3]

一种半导体激光器芯片及其制作方法 [P].

任夫洋 ;

苏建 ;

郑兆河 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN112993742B ,2021-06-18

[4]

一种半导体激光器制作方法及半导体激光器 [P].

姚中辉 ;

佟金阳 ;

杨国文 ;

郑重明 ;

赵慧怡 .

中国专利 :CN118801207A ,2024-10-18

[5]

一种半导体激光器制作方法及半导体激光器 [P].

姚中辉 ;

佟金阳 ;

杨国文 ;

郑重明 ;

赵慧怡 .

中国专利 :CN118801207B ,2025-02-07

[6]

锥形半导体激光器及其制作方法 [P].

曼玉选 ;

仲莉 ;

马骁宇 ;

刘素平 ;

井红旗 .

中国专利 :CN114765341A ,2022-07-19

[7]

单模半导体激光器及其制作方法 [P].

常津源 ;

熊聪 ;

祁琼 ;

郝爽 ;

王婷 ;

刘素平 ;

马骁宇 .

中国专利 :CN117498153A ,2024-02-02

[8]

半导体激光器及其制作方法 [P].

程洋 ;

刘建平 ;

田爱琴 ;

冯美鑫 ;

张峰 ;

张书明 ;

李德尧 ;

张立群 ;

杨辉 .

中国专利 :CN106785912B ,2017-05-31

[9]

半导体激光器及其制作方法 [P].

永井丰 ;

岛显洋 .

中国专利 :CN1093836A ,1994-10-19

[10]

半导体激光器及其制作方法 [P].

李鸿建 ;

龙浩 ;

郭娟 .

中国专利 :CN114421280B ,2022-04-29

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