一种半导体激光器芯片及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911292226.2

申请日：

2019-12-13

公开(公告)号：

CN112993742B

公开(公告)日：

2021-06-18

发明(设计)人：

任夫洋苏建郑兆河徐现刚

申请人：

申请人地址：

250101 山东省济南市高新区天辰大街1835号

IPC主分类号：

H01S502

IPC分类号：

代理机构：

北京华际知识产权代理有限公司 11676

代理人：

张文杰

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-18	授权	授权
2021-07-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/02 申请日:20191213
2021-06-18	公开	公开

共 50 条

[1]

一种半导体激光器芯片及其制作方法 [P].

颜建 ;

蒋培 .

中国专利 :CN109638639A ,2019-04-16

[2]

一种半导体激光器芯片及其制作方法 [P].

颜建 ;

胡双元 ;

吴文俊 ;

黄勇 ;

米卡·瑞桑 .

中国专利 :CN108512035A ,2018-09-07

[3]

一种半导体激光器芯片及其解理方法 [P].

任夫洋 ;

张积波 ;

苏建 ;

陈康 ;

崔庆尚 ;

刘琦 .

中国专利 :CN117791292A ,2024-03-29

[4]

一种半导体激光器及其制作方法 [P].

王健 ;

窦志鹏 ;

宿家鑫 ;

卢泽丰 ;

罗毅 .

中国专利 :CN119834064A ,2025-04-15

[5]

半导体激光器及其制作方法 [P].

程洋 ;

刘建平 ;

田爱琴 ;

冯美鑫 ;

张峰 ;

张书明 ;

李德尧 ;

张立群 ;

杨辉 .

中国专利 :CN106785912B ,2017-05-31

[6]

半导体激光器及其制作方法 [P].

永井丰 ;

岛显洋 .

中国专利 :CN1093836A ,1994-10-19

[7]

半导体激光器及其制作方法 [P].

李鸿建 ;

龙浩 ;

郭娟 .

中国专利 :CN114421280B ,2022-04-29

[8]

半导体激光器及其制作方法 [P].

梁松 ;

剌晓波 .

中国专利 :CN111244756B ,2020-06-05

[9]

半导体激光器及其制作方法 [P].

黄莹 ;

刘建平 ;

程洋 ;

黄思溢 ;

张书明 ;

李德尧 ;

张立群 ;

杨辉 .

中国专利 :CN106887789A ,2017-06-23

[10]

半导体激光器及其制作方法 [P].

木户口勲 ;

足立秀人 ;

熊渕康仁 ;

鬼头雅弘 ;

夈雅博 .

中国专利 :CN1189927A ,1998-08-05

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