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氮化铝模板及其制备方法
被引:0
申请号
:
CN202111638544.7
申请日
:
2021-12-29
公开(公告)号
:
CN114293252A
公开(公告)日
:
2022-04-08
发明(设计)人
:
何晨光
吴华龙
张康
贺龙飞
赵维
陈志涛
刘云洲
廖乾光
申请人
:
申请人地址
:
510651 广东省广州市天河区长兴路363号
IPC主分类号
:
C30B2518
IPC分类号
:
C30B2302
C30B2940
C30B3302
H01L3300
H01L3312
代理机构
:
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463
代理人
:
张金铭
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-04-08
公开
公开
共 50 条
[1]
氮化铝模板及其制备方法
[P].
何晨光
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何晨光
;
张康
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张康
;
吴华龙
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吴华龙
;
贺龙飞
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贺龙飞
;
陈志涛
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陈志涛
;
赵维
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赵维
;
廖乾光
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廖乾光
;
刘云洲
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刘云洲
.
中国专利
:CN114284404A
,2022-04-05
[2]
氮化铝薄膜及其制备方法
[P].
戴文武
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机构:
苏州晶歌半导体有限公司
苏州晶歌半导体有限公司
戴文武
;
黄勇
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机构:
苏州晶歌半导体有限公司
苏州晶歌半导体有限公司
黄勇
.
中国专利
:CN119162548A
,2024-12-20
[3]
氮化铝薄膜及其制备方法
[P].
戴文武
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苏州晶歌半导体有限公司
苏州晶歌半导体有限公司
戴文武
;
黄勇
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机构:
苏州晶歌半导体有限公司
苏州晶歌半导体有限公司
黄勇
.
中国专利
:CN119162548B
,2025-04-25
[4]
氮化铝模板及其制备方法
[P].
张纪才
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张纪才
;
李金峰
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李金峰
.
中国专利
:CN111477534A
,2020-07-31
[5]
高质量氮化铝模板及其制备方法
[P].
王新强
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王新强
;
袁冶
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袁冶
;
刘上锋
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刘上锋
;
李泰
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李泰
;
王钇心
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王钇心
;
李铎
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李铎
;
万文婷
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万文婷
.
中国专利
:CN113897678A
,2022-01-07
[6]
氮化铝真空探测器及其制备方法
[P].
孙兆兰
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机构:
中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
孙兆兰
;
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机构:
赵德刚
;
刘冰
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机构:
中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
刘冰
;
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机构:
杨静
;
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机构:
梁锋
;
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机构:
刘宗顺
;
陈平
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中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
陈平
;
郑福
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中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
郑福
.
中国专利
:CN119050173A
,2024-11-29
[7]
氮化铝单晶模板及其制备方法、电子设备
[P].
请求不公布姓名
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机构:
星钥(珠海)半导体有限公司
星钥(珠海)半导体有限公司
请求不公布姓名
;
请求不公布姓名
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机构:
星钥(珠海)半导体有限公司
星钥(珠海)半导体有限公司
请求不公布姓名
.
中国专利
:CN117552098A
,2024-02-13
[8]
氮化铝薄膜及其制备方法、光电子器件
[P].
王新强
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王新强
;
刘放
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刘放
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袁冶
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袁冶
;
康俊杰
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康俊杰
;
刘上锋
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刘上锋
.
中国专利
:CN113913749A
,2022-01-11
[9]
一种氮化铝模板的制备方法
[P].
徐广源
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徐广源
;
蒋国文
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蒋国文
;
樊怡翔
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樊怡翔
;
白城镇
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白城镇
;
常煜鹏
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常煜鹏
.
中国专利
:CN113488564B
,2021-10-08
[10]
氮化铝真空探测器及其制备方法
[P].
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机构:
赵德刚
;
赵全普
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机构:
中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
赵全普
;
孙兆兰
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机构:
中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
孙兆兰
;
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机构:
杨静
;
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机构:
梁锋
;
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侯玉菲
;
杨倩
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机构:
中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
杨倩
;
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机构:
刘宗顺
;
陈平
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机构:
中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
陈平
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中国专利
:CN120051058B
,2025-11-21
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