三氯硅烷的纯化系统和多晶硅的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710899771.2

申请日：

2017-09-28

公开(公告)号：

CN107867695A

公开(公告)日：

2018-04-03

发明(设计)人：

岸亮太石田昌彦祢津茂义

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C01B33107

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

满凤;金龙河

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-03	公开	公开
2019-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 33/107 申请日:20170928

共 50 条

[1]

三氯硅烷的制造方法和多晶硅棒的制造方法 [P].

阪井纯也 ;

饭山昭二 ;

松村邦彦 .

日本专利 :CN118159491A ,2024-06-07

[2]

生产三氯硅烷的方法和设备以及生产多晶硅的方法 [P].

孙蔚晨 ;

陈宗艳 ;

雷晓青 ;

顾小焱 .

中国专利 :CN108862283A ,2018-11-23

[3]

纯化三氯硅烷的制造方法 [P].

阪井纯也 ;

饭山昭二 .

日本专利 :CN119365416A ,2025-01-24

[4]

多晶硅的制造方法、多晶硅的制造装置、和多晶硅 [P].

漆原诚 ;

水岛一树 .

中国专利 :CN101956232B ,2011-01-26

[5]

三氯硅烷的制备方法和制备装置以及多晶硅的制备方法 [P].

斋木涉 ;

水岛一树 ;

漆原诚 .

中国专利 :CN101679045B ,2010-03-24

[6]

三氯硅烷的纯化系统以及硅晶体 [P].

岸亮太 ;

石田昌彦 ;

祢津茂义 .

中国专利 :CN108502888A ,2018-09-07

[7]

由多晶硅副产物三氯氢硅制备苯基三氯硅烷的方法 [P].

许晓光 .

中国专利 :CN102311453A ,2012-01-11

[8]

还原生产多晶硅回收的氯硅烷的处理方法和装置、多晶硅生产中的氯硅烷的处理方法和系统 [P].

陈莉娜 ;

宋高杰 ;

张旭 ;

江庆云 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN105366681B ,2016-03-02

[9]

多晶硅制造系统、多晶硅制造装置及多晶硅的制造方法 [P].

祢津茂义 ;

小黑晓二 ;

清水孝明 ;

黑泽靖志 ;

久米史高 .

中国专利 :CN102498063A ,2012-06-13

[10]

纯化多晶硅的方法 [P].

H·沃赫纳 ;

C·戈斯曼 ;

H·林德纳 .

中国专利 :CN101784477A ,2010-07-21

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