半导体装置及其制造方法和安装方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01135819.X

申请日：

2001-10-19

公开(公告)号：

CN1221028C

公开(公告)日：

2002-05-22

发明(设计)人：

境忠彦大園滿前田憲

申请人：

申请人地址：

日本国大阪府

IPC主分类号：

H01L2312

IPC分类号：

H01L2158 H01L2152

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

沈昭坤

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-05	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 23/12 申请日:20011019 授权公告日:20050928
2005-09-28	授权	授权
2002-05-22	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

内海胜喜 ;

佐野光 ;

藤本博昭 ;

富田佳宏 .

中国专利 :CN102132409A ,2011-07-20

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

藏本雅史 ;

小川悟 ;

丹羽实辉 .

中国专利 :CN102292802A ,2011-12-21

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

本间庄一 ;

志摩真也 ;

高野勇佑 ;

渡部武志 ;

涩谷克则 .

中国专利 :CN106373893B ,2017-02-01

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

藏本雅史 ;

小川悟 ;

丹羽实辉 .

中国专利 :CN102292835B ,2011-12-21

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

川守崇司 ;

满仓一行 ;

增子崇 ;

加藤木茂树 .

中国专利 :CN102160163A ,2011-08-17

[6]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

小谷贵浩 ;

前田将克 .

中国专利 :CN103415923B ,2013-11-27

[7]

半导体装置和制造方法及其安装构造和安装方法 [P].

田口升 ;

户井田孝志 .

中国专利 :CN1288591A ,2001-03-21

[8]

半导体装置及其制造方法及制造装置 [P].

黑泽哲也 ;

田久真也 ;

友野章 .

中国专利 :CN102610566B ,2012-07-25

[9]

半导体元件及其制造方法、以及半导体装置及其制造方法 [P].

町田信夫 .

中国专利 :CN114868231A ,2022-08-05

[10]

半导体装置及其制造方法以及半导体装置的安装结构 [P].

小坂幸广 ;

中村嘉文 ;

手谷道成 .

中国专利 :CN101221932A ,2008-07-16

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