半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080005218.6

申请日：

2010-01-20

公开(公告)号：

CN102292835B

公开(公告)日：

2011-12-21

发明(设计)人：

藏本雅史小川悟丹羽实辉

申请人：

申请人地址：

日本德岛县

IPC主分类号：

H01L3336

IPC分类号：

H01L2152

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

徐殿军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-02-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101180914496 IPC(主分类):H01L 33/36 专利申请号:2010800052186 申请日:20100120
2011-12-21	公开	公开
2015-03-25	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

藏本雅史 ;

小川悟 ;

丹羽实辉 .

中国专利 :CN102292802A ,2011-12-21

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

内海胜喜 ;

佐野光 ;

藤本博昭 ;

富田佳宏 .

中国专利 :CN102132409A ,2011-07-20

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

本间庄一 ;

志摩真也 ;

高野勇佑 ;

渡部武志 ;

涩谷克则 .

中国专利 :CN106373893B ,2017-02-01

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

川守崇司 ;

满仓一行 ;

增子崇 ;

加藤木茂树 .

中国专利 :CN102160163A ,2011-08-17

[5]

半导体装置及其制造方法及制造装置 [P].

黑泽哲也 ;

田久真也 ;

友野章 .

中国专利 :CN102610566B ,2012-07-25

[6]

半导体元件及其制造方法、以及半导体装置及其制造方法 [P].

町田信夫 .

中国专利 :CN114868231A ,2022-08-05

[7]

半导体元件、半导体装置、及其制造方法 [P].

庭山雅彦 ;

内田正雄 .

中国专利 :CN103548142A ,2014-01-29

[8]

半导体装置制造方法 [P].

辻直子 .

日本专利 :CN112912993B ,2024-06-11

[9]

半导体装置制造方法 [P].

辻直子 .

日本专利 :CN112913015B ,2024-01-16

[10]

半导体装置制造方法 [P].

辻直子 .

中国专利 :CN112912993A ,2021-06-04

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