半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02819881.6

申请日：

2002-08-15

公开(公告)号：

CN100361312C

公开(公告)日：

2005-01-12

发明(设计)人：

荒井千广

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L29732

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-03-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-01-09	授权	授权
2005-01-12	公开	公开
2022-08-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/732 申请日:20020815 授权公告日:20080109 终止日期:20210815

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

铃木健司 ;

高桥英树 ;

友松佳史 .

中国专利 :CN101170109A ,2008-04-30

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

宫田征典 ;

杉浦宽人 ;

杉村温 .

日本专利 :CN120167139A ,2025-06-17

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

高桥英树 .

中国专利 :CN1967868A ,2007-05-23

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

国清辰也 .

中国专利 :CN1157794C ,2001-04-25

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

石田雅宏 .

中国专利 :CN1229280A ,1999-09-22

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

嶋崎丰幸 ;

大泽胜市 ;

茶藤哲夫 ;

志水雄三 .

中国专利 :CN1388593A ,2003-01-01

[7]

半导体衬底、半导体装置、以及其制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN102593153A ,2012-07-18

[8]

半导体衬底、半导体装置、以及其制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN101308783A ,2008-11-19

[9]

半导体装置、半导体装置的制造方法 [P].

上马场龙 ;

高桥彻雄 ;

古川彰彦 .

中国专利 :CN110649090A ,2020-01-03

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

骆志炯 ;

尹海洲 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102074479A ,2011-05-25

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