一种沟槽IGBT器件的终端结构制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610132064.6

申请日：

2016-03-09

公开(公告)号：

CN105679667A

公开(公告)日：

2016-06-15

发明(设计)人：

汤艺永福王良元徐泓

申请人：

申请人地址：

201800 上海市嘉定区汇仁路1899号5幢1层B区

IPC主分类号：

H01L21331

IPC分类号：

H01L2120

代理机构：

杭州九洲专利事务所有限公司 33101

代理人：

翁霁明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101669696005 IPC(主分类):H01L 21/331 专利申请号:2016101320646 申请日:20160309
2016-06-15	公开	公开
2019-03-29	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/331 申请公布日:20160615

共 50 条

[1]

一种沟槽IGBT器件的制造方法 [P].

汤艺 ;

永福 ;

王良元 ;

徐泓 .

中国专利 :CN105280493A ,2016-01-27

[2]

一种沟槽IGBT器件的制造方法 [P].

汤艺 ;

永福 ;

王良元 ;

徐泓 .

中国专利 :CN105679668A ,2016-06-15

[3]

一种沟槽IGBT器件的制造方法 [P].

永福 ;

红梅 ;

沈华 .

中国专利 :CN104835735A ,2015-08-12

[4]

一种沟槽IGBT器件结构的制作方法 [P].

汤艺 ;

永福 ;

王良元 ;

徐泓 .

中国专利 :CN105938798A ,2016-09-14

[5]

一种沟槽RC-IGBT器件结构 [P].

伽亚帕·维拉玛·苏巴斯 ;

永福 .

中国专利 :CN212365970U ,2021-01-15

[6]

IGBT的终端结构、IGBT器件及其制造方法 [P].

刘剑 .

中国专利 :CN108461541A ,2018-08-28

[7]

一种带有内置电流传感器的沟槽IGBT器件结构及制作方法 [P].

汤艺 ;

永福 ;

王良元 ;

徐泓 .

中国专利 :CN110875309A ,2020-03-10

[8]

IGBT的沟槽栅结构、IGBT器件及其制造方法 [P].

潘嘉 ;

杨继业 ;

卢烁今 ;

许洁 ;

张鹏 .

中国专利 :CN117995667A ,2024-05-07

[9]

沟槽型终端IGBT器件及其制造方法 [P].

斯海国 ;

王鹏 ;

李翔 .

中国专利 :CN117711939A ,2024-03-15

[10]

沟槽型终端IGBT器件及其制造方法 [P].

斯海国 ;

王鹏 ;

李翔 .

中国专利 :CN117711939B ,2024-06-14

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