一种沟槽IGBT器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510228626.2

申请日：

2015-05-07

公开(公告)号：

CN104835735A

公开(公告)日：

2015-08-12

发明(设计)人：

永福红梅沈华

申请人：

申请人地址：

314006 浙江省嘉兴市中环南路斯达路18号

IPC主分类号：

H01L21331

IPC分类号：

H01L29739

代理机构：

杭州九洲专利事务所有限公司 33101

代理人：

翁霁明

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-09	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/331 登记生效日:20171220 变更事项:申请人变更前权利人:嘉兴斯达微电子有限公司变更后权利人:嘉兴斯达半导体股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:314006 浙江省嘉兴市中环南路斯达路18号变更后权利人:314006 浙江省嘉兴市南湖区科兴路988号
2019-06-07	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/331 申请公布日:20150812
2015-09-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101624666453 IPC(主分类):H01L 21/331 专利申请号:2015102286262 申请日:20150507
2015-08-12	公开	公开

共 50 条

[1]

一种沟槽IGBT器件的制造方法 [P].

汤艺 ;

永福 ;

王良元 ;

徐泓 .

中国专利 :CN105679668A ,2016-06-15

[2]

一种沟槽IGBT器件的制造方法 [P].

汤艺 ;

永福 ;

王良元 ;

徐泓 .

中国专利 :CN105280493A ,2016-01-27

[3]

一种沟槽IGBT器件的终端结构制造方法 [P].

汤艺 ;

永福 ;

王良元 ;

徐泓 .

中国专利 :CN105679667A ,2016-06-15

[4]

一种沟槽IGBT器件结构的制作方法 [P].

汤艺 ;

永福 ;

王良元 ;

徐泓 .

中国专利 :CN105938798A ,2016-09-14

[5]

IGBT器件的制造方法及IGBT器件 [P].

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

张泉 ;

尹强 ;

肖超 ;

田俊 ;

杨毓龙 .

中国专利 :CN114628247A ,2022-06-14

[6]

具有沟槽栅的IGBT器件的制造方法 [P].

潘嘉 ;

杨继业 ;

陈冲 .

中国专利 :CN111785627A ,2020-10-16

[7]

一种带有内置电流传感器的沟槽IGBT器件结构及制作方法 [P].

汤艺 ;

永福 ;

王良元 ;

徐泓 .

中国专利 :CN110875309A ,2020-03-10

[8]

IGBT器件的制造方法及IGBT器件 [P].

曹功勋 .

中国专利 :CN118231251A ,2024-06-21

[9]

一种沟槽型IGBT器件及其制造方法 [P].

许海东 .

中国专利 :CN111739940B ,2020-10-02

[10]

沟槽型IGBT器件 [P].

梁利晓 ;

管佳宁 ;

李迪 ;

刘嘉 ;

覃荣震 ;

肖强 .

中国专利 :CN120224769A ,2025-06-27

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