一种沟槽IGBT器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510739999.6

申请日：

2015-11-04

公开(公告)号：

CN105280493A

公开(公告)日：

2016-01-27

发明(设计)人：

汤艺永福王良元徐泓

申请人：

申请人地址：

201800 上海市嘉定区汇仁路1899号5幢1层B区

IPC主分类号：

H01L21331

IPC分类号：

H01L2120

代理机构：

杭州九洲专利事务所有限公司 33101

代理人：

翁霁明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-02-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101647683158 IPC(主分类):H01L 21/331 专利申请号:2015107399996 申请日:20151104
2016-01-27	公开	公开
2019-11-01	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/331 申请公布日:20160127

共 50 条

[1]

一种沟槽IGBT器件的制造方法 [P].

汤艺 ;

永福 ;

王良元 ;

徐泓 .

中国专利 :CN105679668A ,2016-06-15

[2]

一种沟槽IGBT器件的制造方法 [P].

永福 ;

红梅 ;

沈华 .

中国专利 :CN104835735A ,2015-08-12

[3]

一种沟槽IGBT器件的终端结构制造方法 [P].

汤艺 ;

永福 ;

王良元 ;

徐泓 .

中国专利 :CN105679667A ,2016-06-15

[4]

一种沟槽IGBT器件结构的制作方法 [P].

汤艺 ;

永福 ;

王良元 ;

徐泓 .

中国专利 :CN105938798A ,2016-09-14

[5]

一种带有内置电流传感器的沟槽IGBT器件结构及制作方法 [P].

汤艺 ;

永福 ;

王良元 ;

徐泓 .

中国专利 :CN110875309A ,2020-03-10

[6]

IGBT器件的制造方法及IGBT器件 [P].

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

张泉 ;

尹强 ;

肖超 ;

田俊 ;

杨毓龙 .

中国专利 :CN114628247A ,2022-06-14

[7]

具有沟槽栅的IGBT器件的制造方法 [P].

潘嘉 ;

杨继业 ;

陈冲 .

中国专利 :CN111785627A ,2020-10-16

[8]

IGBT器件的制造方法及IGBT器件 [P].

曹功勋 .

中国专利 :CN118231251A ,2024-06-21

[9]

一种沟槽型IGBT器件及其制造方法 [P].

许海东 .

中国专利 :CN111739940B ,2020-10-02

[10]

一种沟槽RC-IGBT器件结构 [P].

伽亚帕·维拉玛·苏巴斯 ;

永福 .

中国专利 :CN212365970U ,2021-01-15

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