一种基于二维半导体薄膜的多层堆叠电路及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010154717.7

申请日：

2020-03-08

公开(公告)号：

CN111446243A

公开(公告)日：

2020-07-24

发明(设计)人：

陆叶包文中郭晓娇

申请人：

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

H01L2706

IPC分类号：

H01L2713 H01L21822 H01L2184 H01L2186

代理机构：

上海正旦专利代理有限公司 31200

代理人：

陆飞;陆尤

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-24	公开	公开
2020-08-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/06 申请日:20200308

共 50 条

[1]

一种二维半导体薄膜异质结的堆叠转移方法 [P].

谭化兵 ;

瞿研 ;

郭冰 .

中国专利 :CN117794331A ,2024-03-29

[2]

一种二维半导体薄膜的转移方法 [P].

谭化兵 ;

瞿研 ;

郭冰 .

中国专利 :CN117812981A ,2024-04-02

[3]

一种二维半导体材料的掺杂方法及掺杂二维半导体材料 [P].

包文中 .

中国专利 :CN121171888A ,2025-12-19

[4]

基于二维半导体材料的薄膜晶体管及其制备方法 [P].

孙富钦 ;

王小伟 ;

张珽 ;

何小钱 ;

周伟凡 .

中国专利 :CN119545866A ,2025-02-28

[5]

一种基于碘化铅薄膜的二维半导体p型掺杂方法及其应用 [P].

朱超 ;

刘超 ;

王琳 ;

袁启辉 ;

孙立涛 .

中国专利 :CN121099636A ,2025-12-09

[6]

一种基于二维半导体材料薄膜晶体管及其制备方法 [P].

赵天石 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

杨莉 ;

于水长 .

中国专利 :CN110047915B ,2024-05-03

[7]

一种基于二维半导体材料薄膜晶体管及其制备方法 [P].

赵天石 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

杨莉 ;

于水长 .

中国专利 :CN110047915A ,2019-07-23

[8]

基于二维半导体的固态源掺杂方法及二维半导体晶体管 [P].

姜建峰 ;

邱晨光 ;

彭练矛 .

中国专利 :CN115911105B ,2024-08-02

[9]

一种二维半导体器件及其制备方法 [P].

朱马光 ;

白岩 ;

张凌雨 ;

孙逸夫 ;

何凯悦 .

中国专利 :CN119767741A ,2025-04-04

[10]

一种二维半导体晶体管及其制备方法 [P].

陈鹏 ;

刘贤龙 ;

李宇轩 .

中国专利 :CN119997570A ,2025-05-13

← 1 2 3 4 5 →