抛光含铜的图案化晶片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910004748.8

申请日：

2009-02-20

公开(公告)号：

CN101515546A

公开(公告)日：

2009-08-26

发明(设计)人：

T·M·托马斯王红雨

申请人：

申请人地址：

美国特拉华州

IPC主分类号：

H01L213213

IPC分类号：

C09G118 H01L21768

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

沙永生

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/3213 申请日:20090220 授权公告日:20120627 终止日期:20210220
2009-08-26	公开	公开
2012-06-27	授权	授权
2009-10-21	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

抛光半导体晶片的方法 [P].

A·海尔迈尔 ;

V·杜奇克 ;

L·米斯图尔 ;

T·奥尔布里希 ;

D·迈尔 ;

V·吴 .

中国专利 :CN111683792B ,2020-09-18

[2]

用于图案化晶片表征的方法与设备 [P].

撒迪厄斯·吉拉德·奇乌拉 ;

史帝蓝·伊凡渥夫·潘戴夫 ;

亚历山大·库兹涅佐夫 ;

安德烈·V·舒杰葛洛夫 .

中国专利 :CN105612601B ,2016-05-25

[3]

抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 ;

T·布施哈尔特 ;

R·柯普尔特 .

中国专利 :CN102049723A ,2011-05-11

[4]

抛光半导体晶片的方法 [P].

K·勒特格 ;

A·海尔迈尔 ;

L·米斯图尔 ;

田畑诚 ;

V·杜奇克 ;

T·奥尔布里希 .

中国专利 :CN103846780A ,2014-06-11

[5]

调节晶片抛光垫的方法 [P].

戴维·张 ;

拉尔夫·V·弗格尔格桑 ;

亨利·F·埃克 .

中国专利 :CN1349446A ,2002-05-15

[6]

抛光垫及抛光半导体晶片的方法 [P].

青井裕美 ;

志保浩司 ;

长谷川亨 ;

川桥信夫 .

中国专利 :CN1569398A ,2005-01-26

[7]

抛光垫以及抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 ;

R·柯普尔特 .

中国专利 :CN101927455B ,2010-12-29

[8]

用于抛光铜的组合物和方法 [P].

T·M·托马斯 ;

J·K·苏 .

中国专利 :CN1629238A ,2005-06-22

[9]

用于半导体晶片的抛光垫的修整组件和抛光该晶片的方法 [P].

W·惠斯勒 ;

A·拉贝勒 ;

R·斯科塞佩克 .

中国专利 :CN101022921B ,2007-08-22

[10]

用于半导体晶片抛光的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN102034697A ,2011-04-27

← 1 2 3 4 5 →