用于图案化晶片表征的方法与设备

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201480054194.1
申请日
2014-08-05
公开(公告)号
CN105612601B
公开(公告)日
2016-05-25
发明(设计)人
撒迪厄斯·吉拉德·奇乌拉 史帝蓝·伊凡渥夫·潘戴夫 亚历山大·库兹涅佐夫 安德烈·V·舒杰葛洛夫
申请人
申请人地址
美国加利福尼亚州
IPC主分类号
H01L21027
IPC分类号
代理机构
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人
张世俊
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
抛光含铜的图案化晶片 [P]. 
T·M·托马斯 ;
王红雨 .
中国专利 :CN101515546A ,2009-08-26
[2]
半导体晶片背面图案与正面图案精确对准的方法 [P]. 
张磊 ;
薛宏勇 ;
王健 ;
宁润涛 .
中国专利 :CN109216169A ,2019-01-15
[3]
晶片的制造方法与多项目晶片 [P]. 
郑荣伟 ;
李明机 ;
陈永庆 ;
李新辉 .
中国专利 :CN100580872C ,2008-12-03
[4]
用于划切晶片的方法与载具 [P]. 
J·M·霍尔登 ;
B·伊顿 ;
A·伊耶 ;
A·库玛 .
中国专利 :CN105814666A ,2016-07-27
[5]
用于半导体晶片的金属化方法 [P]. 
W·克斯特勒 ;
B·哈格多恩 .
中国专利 :CN112447885A ,2021-03-05
[6]
用于对晶片上的测量图案进行优化的方法和装置 [P]. 
P·埃伯斯巴赫 .
中国专利 :CN118737867A ,2024-10-01
[7]
用于背面金属化的晶片切片的方法 [P]. 
劳伦斯·斯科特·克林拜尔 ;
科利·格雷格·兰普莱 .
中国专利 :CN107507804A ,2017-12-22
[8]
利用衰减的相移掩模图案化晶片上的光刻胶的方法 [P]. 
詹姆斯·R·沃森 ;
帕维特·曼加特 .
中国专利 :CN1756996A ,2006-04-05
[9]
用于晶片无电镀的方法和设备 [P]. 
威廉·蒂 ;
约翰·M·博迪 ;
弗里茨·C·雷德克 ;
耶兹迪·多尔迪 ;
约翰·帕克斯 ;
蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜 ;
亚历山大·奥夫恰茨 ;
托德·巴力斯基 ;
克林特·托马斯 ;
雅各布·卫理 ;
艾伦·M·舍普 .
中国专利 :CN101663737B ,2010-03-03
[10]
用于高速晶片处置的方法和设备 [P]. 
格兰特·肯奇·拉森 .
中国专利 :CN100385614C ,2006-04-26