半导体晶片背面图案与正面图案精确对准的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810685615.0

申请日：

2018-06-28

公开(公告)号：

CN109216169A

公开(公告)日：

2019-01-15

发明(设计)人：

张磊薛宏勇王健宁润涛

申请人：

申请人地址：

英属西印度群岛，开曼群岛，大开曼岛KY1-1107，邮政信箱709，玛丽街122号，和风楼

IPC主分类号：

H01L21033

IPC分类号：

H01L2168

代理机构：

上海元好知识产权代理有限公司 31323

代理人：

包姝晴;徐雯琼

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-15	公开	公开
2019-02-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/033 申请日:20180628

共 50 条

[1]

基于半导体晶片的一个或多个正面对准标记的背面图案对准方法 [P].

王健 ;

张磊 ;

战长青 ;

林泰名 .

加拿大专利 :CN120578024A ,2025-09-02

[2]

具有预对准图案的半导体晶片和预对准半导体晶片的方法 [P].

王盈盈 .

中国专利 :CN101986427A ,2011-03-16

[3]

包括对准图案的半导体芯片 [P].

金润圣 ;

金尹熙 ;

裵秉文 ;

沈贤洙 ;

尹俊浩 ;

崔仲浩 .

中国专利 :CN111092068A ,2020-05-01

[4]

包括对准图案的半导体芯片 [P].

金润圣 ;

金尹熙 ;

裵秉文 ;

沈贤洙 ;

尹俊浩 ;

崔仲浩 .

韩国专利 :CN111092068B ,2025-02-11

[5]

检验图案、图案缝合检验方法及半导体晶片 [P].

傅国贵 ;

陈逸男 ;

刘献文 .

中国专利 :CN102738122A ,2012-10-17

[6]

半导体晶片背面研磨方法 [P].

福田和哉 ;

森俊 .

中国专利 :CN1509495A ,2004-06-30

[7]

半导体自对准图案化的方法 [P].

刘安雄 ;

王雅志 .

中国专利 :CN104347350B ,2015-02-11

[8]

包括晶片过度移位指示图案的半导体封装 [P].

李硕源 ;

闵復奎 .

中国专利 :CN109768016A ,2019-05-17

[9]

测量半导体晶片上的图案中的高度差 [P].

伊谢·施瓦茨班德 ;

严·阿夫尼尔 ;

谢尔盖·克里斯托 ;

莫尔·巴拉姆 ;

希蒙·利维 ;

多伦·吉蒙斯基 ;

罗马·克里斯 .

中国专利 :CN110622289B ,2019-12-27

[10]

半导体装置、半导体晶片与制造半导体晶片的方法 [P].

林孟汉 ;

黄家恩 .

中国专利 :CN114725123A ,2022-07-08

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